近期，广东致能创始人黎子兰博士参加在瑞典举办的第十五届国际氮化物半导体会议（ICNS-15）并作邀请报告（Invited Talk）。报告分享了团队在硅基垂直氮化镓功率器件（GaN HEMT）技术上的原创性突破及应用前景。

广东致能团队全球首创在硅衬底上实现垂直GaN/AlGaN异质结构及垂直二维电子气沟道（2DEG）的直接外延生长，通过精准工艺调控，制备出低位错密度的氮化镓鳍状结构，该方法具备极高的外延结构设计自由度。

基于这一创新平台，团队成功研制出全球首个具有垂直2DEG沟道的常开型器件（D-mode VHEMT）及阈值电压可调的常关型器件（E-mode VHEMT）。在工艺集成方面，通过源/栅电极选择性刻蚀及硅衬底完全去除工艺，实现了全垂直电极结构布局，可显著提升器件散热效率。该创新技术在先进工艺平台加持下具备极高的量产可行性，同时还为器件微缩和大电流性能迭代（功率密度）提供了广阔空间。