近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳平台（深圳平湖实验室）宣布在碳化硅衬底加工领域取得里程碑式进展。该团队自主研发的全自动化激光剥离系统，成功将碳化硅衬底单片切割损耗从传统工艺的280-300微米降至75微米以下，单片成本降低26%，技术水平达到国际先进。

在第三代半导体材料产业化进程中，碳化硅（SiC）衬底加工技术长期受制于高损耗、低效率的瓶颈。深圳平湖实验室聚焦SiC激光剥离新技术的研究与开发，旨在大幅降低碳化硅衬底的切割损耗，从而降低碳化硅衬底的成本，促进大尺寸SiC衬底规模化产业应用。

2024年12月，深圳平湖实验室新技术研究部实现了激光剥离单片总损耗≤120μm，单片切割时间30min，达到国内领先水平。