8月6日，根据九峰山实验室官微消息，九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。
图片来源：九峰山实验室
据介绍，此次推出的科研样品分为两种IP结构，一种是基于#九峰山实验室 完全自主IP的SiC胶囊型沟槽MOSFET结构，结合优化设计的新型终端技术，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。另一种是基于九峰山实验室完全自主IP的SiC双侧深掩蔽沟槽
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