特点:a、采用最新的CSTBT硅片技术；b、低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff；c、高短路承受力（不需要RTC）；d、降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT；e、最好的热阻性能，T(j-f)比竞争对手好一个等级；f、采用传统的与H系列兼容的 Rth(j-c) 和Rth(c-f)定义；g、封装全系列与H系列产品兼容。用途:a、直接替换H系列IGBT模块；b、高性能的电力变换产品设计。 二单元结构 四单元结构 六单元结构 外形图

型 号	模块结构及参数	型 号	模块结构及参数
CM150DY-12NF	两单元，150A/ 600V	CM200TL-12NF	六单元，200A/ 600V
CM200DY-12NF	两单元，200A/ 600V	CM50TL-24NF	六单元，50A/1200V
CM300DY-12NF	两单元，300A/ 600V	CM75TL-24NF	六单元，75A/1200V
CM400DY-12NF	两单元，450A/ 600V	CM100TL-24NF	六单元，100A/1200V
CM600DY-12NF	两单元，600A/ 600V	CM150TL-24NF	六单元，150A/1200V
CM100DY-24NF	两单元，100A/1200V	CM200TL-24NF	六单元，200A/1200V
CM150DY-24NF	两单元，150A/1200V	CM75RL-12NF	七单元，75A/ 600V
CM200DY-24NF	两单元，200A/1200V	CM100RL-12NF	七单元，100A/ 600V
CM300DY-24NF	两单元，300A/1200V	CM150RL-12NF	七单元，150A/ 600V
CM400DY-24NF	两单元，400A/1200V	CM200RL-12NF	七单元，200A/ 600V
CM600DU-24NF	两单元，600A/1200V	CM50RL-24NF	七单元，50A/ 1200V
CM1400DU-24NF	两单元，1400A/1200V	CM75RL-24NF	七单元，75A/ 1200V
CM75TL-12NF	六单元，75A/ 600V	CM100RL-24NF	七单元，100A/ 1200V
CM100TL-12NF	六单元，100A/ 600V	CM150RL-24NF	七单元，150A/ 1200V
CM150TL-12NF	六单元，150A/ 600V