特点:a)采用最新的CSTBT硅片技术；b)低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；c)降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT；d)采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻；e)比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。用途: 低成本设计，适合中、低端变频器产品设计。
一单元结构 二单元结构 外形图
| 型号 |
模块结构及参数 |
型号 |
模块结构及参数 |
| CM400HA-24A |
一单元，400A/1200V |
CM600DY-24A |
两单元，600A/1200V |
| CM600HA-24A |
一单元，600A/1200V |
CM75DY-34A |
两单元，75A/1700V |
| CM100DY-24A |
两单元，100A/1200V |
CM100DY-34A |
两单元，100A/1700V |
| CM150DY-24A |
两单元，150A/1200V |
CM150DY-34A |
两单元，150A/1700V |
| CM200DY-24A |
两单元，200A/1200V |
CM200DY-34A |
两单元，200A/1700V |
| CM300DY-24A |
两单元，300A/1200V |
CM300DY-34A |
两单元，300A/1700V |
| CM400DY-24A |
两单元，400A/1200V |
CM400DY-34A |
两单元，400A/1700V |
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