基板：有Cu和AlSiC两种
额定电压：从1700V到6500V
额定电流：从200A到2400A
绝缘电压：从4.0kVrms到10.2kVrms
H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到业界公认
N系列：采用 CSTBTTM硅片，进一步降低损耗，缩小体积
N系列B型：采用 CSTBTTM硅片，封装与H系列兼容
R系列：封装尺寸与 H 系列兼容;额定电流提升到1500A；高短路鲁棒性设计；运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C；最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。
续流二极管：软恢复特性，保证良好的EMI性能
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