宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 12 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为了在高性能电信设备和数据中心服务器中实时地对处理器和存储器的功耗进行监控，推出两个新的60A VRPower^®智能功率级---SiC645和SiC645A。功率级集成了电流和温度监测器，可用于多相DC/DC系统。Vishay Siliconix SiC645和SiC645A把功率MOSFET、先进的驱动IC和1个启动FET组合在热增强的薄外形5mm x 5mm x 0.66mm PowerPAK^® MLP55-32L/QFN封装里，有效简化设计，精度高于类似的标准DrMOS产品，同时占位面积比相近的对标器件小16%。

使用电感器DCR检测来监控功耗，需要使用类似热敏电阻这样的外部元器件来进行温度补偿。与前面这种方案不同的是，SiC645和SiC645A利用低边MOSFET的导通电阻R_DS(ON)进行检测，分别用5mV/A和8mV/C信号准确地报出电流(IMON)和温度(TMON)。这种检流方法在很宽的负载范围内都是准确的，而且在内部进行温度补偿，省掉了外部电路，从而简化设计。另外，使用这些功率级就能去掉检流引线，同时由于没有了噪声和外部滤波，系统响应速度很快。

功率级的精度满足Intel严格的VR13和VR13.x电流监测精度要求，能够更好地发挥服务器CPU的加速功能，在不增加成本的情况下为数据中心客户提供更高的性能，优点十分突出。专用的低边FET控制pin脚使系统在轻载条件下也具有很好的效率。

器件的输入范围从4.5V到18V，适用于为服务器、网络和云计算的微处理器和存储器供电的高频、高效VRM和VRD，高性能图形卡和游戏机里的GPU，以及通用多相负载点(POL)DC/DC转换器。SiC645和SiC645A的封装能够实现双面冷却，低封装寄生电阻和电感使开关频率能够达到2MHz。

器件符合RoHS，无卤素，故障保护功能包括高边FET短路和过流保护、过热保护、欠压锁定(UVLO)，有开漏故障报告输出。SiC645和SiC645A分别支持5V和3.3V PWM三电平输入，兼容Intersil的ISL68/69xx和ISL958xx数字多相控制器。

智能功率级现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十周。