Snubber,吸收电容，适用于IGBT缓冲线路的突波吸收，  具有多种规格和安装方式，以满足设计需求。 
产品特点 引用标准 : IEC 61071 结构： 金属化聚丙烯膜结构 封装: 塑料外壳（ UL94 V-0）,树脂填充
电气特性 工作温度 : - 40 ˚C 至 + 105 ˚C 容量范围 : 0.0047 至 5.6μF 额定电压 : 700 至 3000 VDC 容量偏差 : ± 5% , ± 10% 损耗因素 : ≤6×10-4 @ 1KHz 20±5˚C 预期寿命 : 100,000 小时 , @ Un , 70 ˚C (热点温度) 极间耐压 : 1.5Un (DC) ,（10s , 20±5˚C） 极壳耐压 : Un≤1300V,3KVAC(10s,50Hz) Un＞1300V,1.5Un+1000VAC (10s,50Hz) 绝缘电阻 : （IR×Cn）30000s（不超过 30GΩ） , 100VDC (20±5˚C ) ,1 分钟
电气特性 IGBT 突波吸收 高频谐振