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SiC肖特基位障二極體

SiC肖特基位障二極體
  • 品牌：Tshiba-东芝
  • 型号：
  • 产品简介：東芝在插入式封裝(TO-220)提供範圍廣泛的第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體(SiC SBDs)，額定電流為2A到10A。 第二代碳化矽蕭特基位障二極體提供比第一代碳化矽蕭特基位障二極體低了30%的品質因數(VF*QC)，以及更高的順向湧浪峰值電流(IFSM)，因此有助於改善電源供應器的效率及縮小尺寸。
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详细介绍
产品说明：

產品特性

  • 高順向湧浪峰值電流(IFSM): 約額定電流(IF(DC))的7到9倍。
  • 低品質因數(VF*QC): 提供約比第一代碳化矽蕭特基位障二極體低30%的品質因素，因此能提供較高的效率。
  • 多種封裝選項包含絕緣及表面貼片封裝:滿足多種設計需求。

    • 應用

    用於開關元件的高效率電源、斬波電路和續流二極體的功率因素校正（PFC）

    • 商業用途／辦公自動化設備：4K液晶顯示器、投影儀、多功能印表機
    • 工業用途：通訊基站電源、電腦伺服器
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