东芝提供各种具有低至中等VDSS的MOSFET产品组合，其封装范围包括适用于小信号应用的超小型封装乃至适用于汽车应用的大电流容量封装。东芝利用每一代连续的槽栅结构和制造工艺，稳定降低其低压功率MOSFET的漏-源导通电阻RDS(ON)。此外，东芝还不断优化MOSFET单元结构，改善了漏-源导通电阻和电荷特性之间的平衡，这是MOSFET开关应用的重要品质因数。
为了提高应用系统的效率和减少MOSFET所产生的热量，东芝已对各种MOSFET品质因数进行了改进，如图所示。此外，由于使用全新的单元结构，东芝第8代沟槽MOSFET系列U-MOSVIII-H在开关转换过程中将产生更低的噪声和振铃。
随着开关损耗的减小，输出电荷损耗的相对重要性增加。为此，东芝发布了第9代U-MOSIX-H沟槽MOSFET系列，该系列采用新工艺，将提供远低于上一系列的输出电荷损耗。
东芝的低压功率MOSFET非常适用于提高能源效率和减小尺寸的各种应用。东芝提供广泛的MOSFET选项，方便您选择最适合您应用需求的选项。
优点
- 新的U-MOSⅨ-H系列
U-MOSⅨ-H系列专门设计用于同步整流应用，包括二级隔离开关电源。它改进了Qoss*1性能，该性能是同步整流功率损耗的原因之一。U-MOSⅨ-H系列相比于其他半导体供应商*2所提供的最新产品，其Ron•Qoss降低了27%，实现了导通电阻（Ron）和Qoss之间的平衡。因为Ron对于Qoss具有重要影响，所以东芝将通过采用超低Ron的MOSFET扩大U-MOSⅨ-H产品组合，以便扩充U-MOSⅧ-H系列的产品阵容。
◆典型MOSFET（VDSS=100V）的品质因数比较
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