当 IGBT 器件工作在海拔>2000M 的高度或者有很高的直流电压时，需要限制其工作范围。

 由 于 气 压 降 低 ， 需 要 评 估 空 气 冷 却 系 统 的 冷 却 能 力 。

 由 于 空 气 的 介 电 强 度 降 低 ， 绝 缘 能 力 ， 特 别 是 电 气 间 距 需 要 经 过 调 整 。 详 见 第 章。

 在选择合适的电压等级且通常在设计环节时，需要考虑由于功率半导体器件工作在高海拔 （宇宙辐射）和/ 或高电压场合而可能导致的失效概率。

 当工作温度T<25度 时，IGBT 降低的阻断能力和一些特殊场合中器件在这些温度下的开关特性， 设计者需要牢记在心，并且在设计中要单独进行研究。温度T>-40度  到T<25度 之间时，模块 阻断能力与温度相关的特性，您可以通过咨询infineon 功率器件的销售代表获得。