第4代SiC MOSFET

特点

1.在不牺牲短路耐受时间的前提下实现业内超低导通电阻

在第4代SiC MOSFET中，通过进一步改进罗姆自有的双沟槽结构，成功地在不牺牲主驱逆变器等要求的短路耐受时间的前提下，使导通电阻比以往产品降低约40%。作为SiC MOSFET，实现了业界超低的导通电阻。

2.通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗

第4代SiC MOSFET，通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。

3.支持15V栅源驱动电压，使应用产品的设计更容易

在MOSFET中，需要在器件ON时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了到第3代SiC MOSFET为止所支持的18V栅源驱动电压（Vgs）外，第4代SiC MOSFET还支持更容易处理的15V栅源驱动电压，可与IGBT一起用来设计驱动电路（栅极驱动电路）。

应用示例：主驱逆变器

有助于包括车载逆变器和各种开关电源在内的各种应用产品实现显著的小型化和更低功耗，比如在用于车载主驱逆变器时，与使用IGBT时相比，效率可以得到显着提升，主要体现在逆变器的高扭矩和低转速范围，从而可使电耗减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算）。