SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)具有很小的总电荷(Qc),低开关损耗且高速开关工作。因此,它被广泛用于电源的PFC电路中。此外,与硅基快恢复二极管的trr(反向恢复时间)会随温度的升高而增加不同,碳化硅(SiC)器件可保持恒定的特性,从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸,非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
SiC SBD用于提高电力转换系统的可靠性,例如电池充电,电动汽车和混合动力车的充电电路以及太阳能电池板。 此外,它还被用于X射线发生装置等高压设备。
罗姆已发布的第3代SiC SBD的SCS3系列能够提供更大的浪涌电流容量,同时还能进一步降低第2代SBD的正向电压。
Reverse Voltage[V] |
Continuous Forward Current[A] |
TO-220ACG | TO-220ACP Dimensions |
TO-220FM2L Dimensions |
TO-247N Dimensions |
TO-263AB (LPTL) Dimensions |
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650 | 2.0 | |||||
2.15 | ||||||
4.0 | ||||||
6.0 | ||||||
8.0 | ||||||
10.0 | ||||||
12.0 | ||||||
15.0 | ||||||
20.0 | ||||||
30.0 | ||||||
40.0 | ||||||
1200 | 5.0 | |||||
10.0 | ||||||
15.0 | ||||||
20.0 | ||||||
30.0 | ||||||
40.0 |
SCS2* planar structure /SCS3* trench structure
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