- 电力电子产品
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时间: 2012-07-02 15:34 点击:102659日本三菱IGBT模块
a、采用最新的CSTBT硅片技术；b、低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff；c、高短路承受力（不需要RTC）；d、降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT；e、最好的热阻性能，T(j-f)比竞争对手好一个等级；f、采用传统的与H系列兼容的 Rth(j-c) 和Rth(c-f)定义；g、封装全系列与H系列... [阅读全文] -
时间: 2012-07-02 15:34 点击:102777日本三菱IGBT模块
a)采用最新的CSTBT硅片技术；b)低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；c)降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT；d)采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻；e）比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准... [阅读全文] -
时间: 2012-07-02 15:31 点击:101100mitsubishi IGBT模块/三菱IGBT模块
三菱IGBT模块/mitsubishi IGBT模块 包括CM系列标准IGBT模块、PM系列智能模块，质量优良，价格优惠，广泛应用于变频器、逆变焊机、开关电源等领域。北京瑞田达公司作为三菱IGBT模块/mitsubishi IGBT模块的代理商，致力于为客户现货提供原装正品，常备现货. [阅读全文] -
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时间: 2012-03-27 17:56 点击:102696第5代A系列IGBT模块
采用CSTBTTM硅片技术 饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小 比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装 内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小 模块内部寄生电感小 功率循环能力显著改善 [阅读全文]
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