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高温单道推板式烧结炉、全自动推板烧结炉、全自动双推板式烧结炉、网带式电阻烧结炉、氢气氮气推板烧结炉、箱式气氛保护炉、管式炉、真空碳管炉、真空钼丝烧结炉、真空箱式电阻炉、真空热压炉、真空钨丝烧结炉、真空干燥箱、高压真空炉、高压气淬真空炉、真空加压回火炉、高温真空钎焊炉、真空退火炉、真空热处理加工炉、高压气氛炉、单室卧式高压高流率气淬真空炉、单室立式高压高流率气淬真空炉、双室卧式高压高流率气淬真空炉、双室卧式油淬真空炉、双室卧式油淬气冷真空炉、双室卧式低压渗碳油淬真空炉、叁室卧式油、气淬真空炉、单室卧式回火真空炉、单室卧式退火真空炉、单室立式退火真空炉、真空热处理炉、真空氢气处理炉、真空钎焊炉、全坦溶封炉、立式烧结炉、微控扩散炉、烘焙排蜡炉、陶瓷马弗炉、箱式马弗炉、温度控制仪、真空扩散炉、单管氢气烧结炉、双管氢气烧结炉、消磁炉、真空消磁炉、温度控制调节器、单管卧式烧结炉、双管卧式烧结炉、高温烧结炉、陶瓷氢气烧结炉、单工位真空烧结炉、链带式烧结炉
·描述

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该系统是生产半导体器件和大规模集成电路的重要设备。

1、系统组成：a)扩散炉主机 b)推拉舟及层流净化台 c)气源柜 d)排毒柜 e）微机控制柜2、扩散炉管数：1～4管/台

3、炉管内径：φ90㎜×240mm

4、恒温区长度：≤600mm±1℃(300～800℃） ≤600mm±0.5℃(800～1250℃）

5、单点稳定性：±1℃/24h(300～800℃）    ±0.5℃/24h(800～1250℃）

6、气源路数：≤6路

7、气源控制：MFC或浮子流量计

8、推拉舟行程：最大1500mm

9、推拉舟速度范围及精度：（1～1000）± 3mm/min

10、推拉舟位置控制精度：≤3mm

11、冷却方式：水冷+风冷

12、微控部分采用STD总线功能模板

   a)主CPU板：8031+32ROM+8KRAM+总线接口部件

   b)信号调理板：完成对温度过程的采样、放大及高精度A/D的转换

   c)人机界面板：接收键入信息管理，并配置9”液晶显示

 d)推拉舟接口板：输出推拉舟速度值，完成舟位置检测，输出推拉舟的运动指令

e)MFC接口板：输出MFC设定值，将MFC的流量信息采入计算机

 f)可控硅控制及形状量输出板：完成与可控硅触发及开关量放大驱动器接口等功能

g)键盘：采用标准键盘或专用小键盘h)电源板（非STD总线板）i)可控硅触发板：完成可控硅的过零触发或移相触发驱动(非STD总线板) j)开关量驱动板：完成由STD总线板的数字信号(TTL电平)的转换、放大，用于驱动气路阀（非总线板） k)推拉舟驱动部分：接收总线板输出的推拉舟速状态指令，并将位置转换成标准信号输出，有手动自动转换