请问IGBT和MOSFET的主要性能参数有那些？请指点
悬赏分：0 解决时间 2013-06-20 11:26 提问者： 匿名
谢谢！这两者的一些主要性能参数，还有他们之间的不同点等！不胜感激
从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题；从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右；
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回答者：
jiansiting
2012-08-23 10:36
说声谢谢，感谢回答者的无私帮助