为了提高能源利用率，碳化硅功率器件吸引了广泛的关注，其具有更好的物理特性，有助于电动汽车的轻量化、增加单次充电续航里程以及提高数据中心电源效率等。东芝作为SiC功率器件的积极推动者，拥有先进的SiC技术，公司旗下的第3代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等各种高功率密度应用。

在本期研讨会上，东芝电子元件（上海）有限公司半导体技术统括部主任工程师朱科羽将为大家介绍东芝第3代SiC MOSFET的技术特性及其应用场景。

 
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讲解亮点

1、采用内置SBD的结构，有效提高了Rds(on)的稳定性。

2、具有更低的Rds(on)×Qgd，实现更低功耗和更快的开关速度。

3、更宽的栅源电压范围-10V~+25V。

研讨会时间

2023年11月23日上午10：00

研讨会主题

最新SiC技术，推进脱碳社会建设

研讨会讲师

朱科羽

现就职于东芝电子元件（上海）有限公司半导体技术统括部，从事半导体功率器件的技术支持工作。