1引言
智能电网（Smart power grids），就是电网的智能化，也被称为“电网2.0”，它是建立在集成的、高速双向通信网络的基础上，通过先进的传感和测量技术、先进的设备技术、先进的控制方法以及先进的决策支持系统技术的应用，实现电网的可靠、安全、经济、高效、环境友好和使用安全的目标，其主要特征包括自愈、激励和包括用户、抵御攻击、提供满足21世纪用户需求的电能质量、容许各种不同发电形式的接入、启动电力市场以及资产的优化高效运行[1,2]。
美国对智能电网的定义中，智能电网包括7个方面的主要特征：自愈；互动；安全；提供满足21世纪用户需求的电能质量；可提供满足所有电源种类要求的电能储存方式；可市场化交易；优化电网资产，提高运营效率[3]。
广义来说，所有使用电力电子器件进行电压变换的装置，都可以称为电力电子变压器（PET），包括四大变换器：AC-DC变换器、AC-AC变换器、DC-DC变换器和DC-AC变换器，此处主要指前两种变换器型式。
传统的电力变压器，虽然也具有制作工艺简单、可靠性高等优点，在电网中得到广泛应用。但是，它的缺点也十分明显，如体积、重量、空载损耗大；过载时易导致输出电压下降、产生谐波；负载侧发生故障时，不能隔离故障，从而导致故障扩大；带非线性负荷时，畸变电流通过变压器耦合进入电网，造成对电网的污染；电源侧电压受到干扰时，又会传递到负载侧，导致对敏感负荷的影响；使用绝缘油造成环境污染；需要配套的保护设备对其进行保护[4]。这使得传统的电力变压器无法满足我国建设坚强智能电网的需求。
目前PET主要包括已经产品化的各种开关电源、矩阵变换器、无直流环节的AC-AC变换器以及高压大功率电力电子变压器。其中工作在低压环境下采用PET的仪器设备发展迅猛，但高压输入大功率电力电子变压器由于受到功率器件性能的约束，尚未取得实质性进展。
随着用户对用电需求的不断变化以及国际上对节能环保需求的不断升华，需求越来越多的电力电子变压器应用于电力网络的各个方面。尤其是在2006年IBM公司提出“智能电网”解决方案以及美国总统奥巴马提出能源计划后，智能电网的研究与应用正逐渐成为各国电力行业争相研究的主要课题，而各国对本国供电系统的智能化改造已经提上议事日程。这就为电力电子变压器的研究迎来了新的契机。
在我国“十二五”规划纲要中，对发展智能电网，推动能源生产和利用方式变革，构建安全、稳定、经济、清洁的现代能源产业体系，已经提出明确要求。2011年3月2日，国家电网公司宣布，到2015年，将基本建成坚强智能电网，智能化程度达到国际先进水平[1]。
中国国际智能电网设备与技术展览会（简称Smart Gridtec 2011）将于2011年5月5-7日在上海新国际博览中心举办。同期举办的“中国智能电网论坛”将力邀国内外智能电网领域的领袖和专家进行深入交流和探讨，聚焦智能化电网的核心技术标准、分布式能源与并网技术、智能配电网自动化、智能家居及智能楼宇、电动汽车充电站等主要应用领域。
由此可见智能电网在整个国民经济中正在逐步占据战略性重要地位，鉴于电力电子变压器是智能电网的一个重要组成部分，必将得到广泛和深入的研究。本文对电力电子变压器的发展进行总综述，涉及器件制造、电路拓扑、工作原理以及变换功能等，随后提出了采用单相-单相矩阵变换器、功率因数校正器的一类具有潜在应用价值电力电子变压器，并对其进行了简要的理论分析和仿真分析。
2优势与研究课题
电力电子变压器（Power Electronics Transformer，PET）是一种含有电力电子变换器且通过高频变压器实现磁耦合的变电装置，它通过电力电子变换技术和高频变压器实现电力系统中的电压变换和能量传递[5]。它采用最新的电力电子变流技术，在原边将工频交流电调制为高频交流电；然后通过高频变压器耦合至副边；最后通过功率变换器将高频交流电转化为工频交流电，供电网用户使用。
在供电系统中，常规的工频配电系统变压器是实现电能传输的最基本部件，其数量巨大，应用广泛，其性能优劣对供电系统的可靠性和电能的质量具有重大影响。配电变压器的主要作用是实现变压、隔离和能量传递。目前，国内普遍采用的主要是铁芯油浸式配电系统变压器。由于其工艺简单、运行可靠和能量转换效率较高，在电网中得到了广泛的应用。但是，它的缺点也十分明显，如体积、重量、空载损耗大；过载时容易导致输出电压下降、产生谐波；负载侧发生故障时，不能隔离故障，从而导致故障扩大；带非线性负荷时，畸变电流通过变压器耦合进入电网，造成对电网的污染；电源侧电压受到干扰时，又会传递到负载侧，导致对敏感负荷的影响；使用绝缘油造成环境污染；需要配套的保护设备对其进行保护[5]。这使得传统的电力变压器无法满足我国建设坚强智能电网的需求。
2.1电力电子变压器具有的优点
这就使得我们必须采用更加智能化的电力电子变压器来代替传统变压器。相对于传统铁芯式变压器，电力电子变压器具有以下优点：
(1) 体积小、重量轻、成本低、无环境污染。电力电子变压器采用高频变压器，体积将大大减小，其价格将不断下降而低于传统工频变压器。另外，电力电子变压器与传统变压器原理的不同也使得其避免了使用绝缘油造成的污染。
(2) 供电电压稳定性高，供电质量得到保证。电力电子变压器运行时可保持副方输出电压幅值恒定，不随负载变化，且平滑可调；可保证原方电压电流和副方电压为正弦波形，且原、副方功率因数可调；变压器原副方电压、电流和功率均高度可控。并且，多台PET可通过光纤联网，在保证系统稳定性的条件下实现对潮流实时灵活控制和网损最小化，及配电系统电压控制和无功优化等。
(3) 工作损耗低，符合节能环保的要求。虽然目前PET的损耗大于传统变压器，但电力电子器件将随工艺、材料的突破，极大地减少自身工作损耗，从而提高电力电子变压器的整体效率。另外，PET兼有断路器的功能，大功率电力电子器件可瞬时关断故障大电流，无需常规变压器的继电保护装置[6]。
2.2应用PET给电力系统带来的优势
将PET应用到电力系统后，将会给电力系统带来许多新的特点，有助于解决电力系统中所面临的许多新课题，主要表现在如下几个方面：
(1)PET作为一种高度可控的新型输电设备，其原副边电压的幅值和相位均可控，且可关断故障大电流，这一特点应用到电力系统后，将有望大幅度提高系统的稳定性；
(2)积极开发利用新能源和可再生能源发电已成为社会发展的必然要求，太阳能发电、风力发电以及小水电等分布式发电系统在整个能源结构中的比重逐步上升。分布式电源容量小，分布广，交直流电源兼有，且电源电压或频率具有较大的波动性。PET交直流环节兼有且频率可调，所以可灵活地将各种分布式电源接入电力系统[7]；
(3)目前，电力市场开放已成为大势所趋，开放的目的是为用户提供可靠、安全和经济的电力，这就要求输配电系统能实时快速控制电网潮流，而PET具有高度的可控性，广泛应用后，将能够在保证系统稳定性的条件下实现对潮流的实时灵活控制；
(4)与PET相联的同步发电机可实现异步化运行。当系统发生故障时，发电机可实现短时异步化运行而不会与系统解列，提高系统的安全稳定性和供电可靠性；
(5)当前电网中，谐波、电压跌落，闪变等电能质量问题日趋严重，将PET用于配电系统后，将能够起到电能质量调节器的作用。
PET技术在电力网络中可应用的领域包括：输电系统、配电系统、新能源入网的电压变换系统，以及其他一些特殊的需要电压变换或提高电能质量的环节。
2.3电力电子技术应用于电力系统中的问题
但是，也应该看到，电力电子技术应用于电力系统还存在着众多问题需要解决：
(1)高压电力电子器件的研发。这个问题有待SiC封装技术成熟，需要设计高压器件的串联均压方案，包括驱动方法；
(2)对电路拓扑进行深入研究。寻求更加稳定、成本更低、可靠性更高、功能齐全的电路拓扑；
(3)对电力电子变压器控制策略的研究。关键在于得出能同时完成能量转换和解决电能质量的问题功能的控制策略，即如何将电能传输、隔离、变换、保护和改善电能质量问题的功能合而为一；
(4)对PET中的关键部件－高频变压器进行深入的建模与仿真研究。期望设计出漏感更小、效率更高、提交更小的高压高频变压器；
(5)对输电系统中使用PET，涉及电网稳定性判断、协调同步发电机工作鞥问题。对配电系统中使用PET，设计高功率因数运行、无功补偿、谐波抑制等问题；
(6)PET输入高压侧变换器的串联均压问题，输出侧的变换器的串联均压问题或变换器均流问题；
(7)针对智能电网的需求，为满足各种不同的用电需求，提供切实可行和灵活多变的能源接口。
3功率器件的进展
配电网包括高压配电网（35－110kV）、中压配电网(6－10kV)和低压配电网(220/380V)。电力电子变压器主要针对中、低压配电网，要求功率开关具有足够高的电压与电流等级、足够快的开关速度、足够低的通态压降。目前，高压器件的制作技术成为电力电子变压器发展中最重要的制约因素。
3.1Si功率器件
在过去50年的时间里，Si功率器件中，IGBT和MOSFET的发展尤为瞩目。在Si功率器件中，IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。随着电压等级和输出容量的不断增大，IGBT在变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域得到了广泛的应用。
随着IGBT技术的不断发展，其结构设计和工艺技术也发生了较大的变化，得到了不断改进和创新。在超大规模集成电路和功率器件技术的基础上，出现了分层辐照、薄片加工等特殊的加工技术，产品的技术性能也得到了很大提高。先后相继开发出平面穿通型IGBT(PT-IGBT)、槽栅IGBT(TG-IGBT)、非穿通型IGBT(NPT-IGBT)、集电极短路IGBT(CS-IGBT)、透明集电极IGBT(TC-IGBT)、Si片直接键合IGBT(SDB-IGBT)、超快速IGBT、与快速恢复二极管结合的IGBT(IGBT-FRD)、三维集成霹雳型IGBT、逆阻型IGBT(RB-IGBT)、逆导型IGBT(RC-IGBT)、高电压低压降型IGBT、高频型IGBT、双向型IGBT、IGBT复合功率模块PIM、IGBT智能功率模块IPM等，其中向高压大电流发展的PIM、IPM正成为IGBT的发展热点，如PIM产品已达到1200~1800A/1800~3300V的水平[8]。
RC-IGBT(逆导IGBT)，是目前应用比较多的一种IGBT。英飞凌公司（Infineon）2010年初推出的全新的600V RC IGBT驱动系列。而三菱电机更是早在2006年就发布世界第一款搭载RC-IGBT硅片实现高性价比的超小型第4代DIP-IPM。而最近也有3300V的RC-IGBT的报道[9,10]。
RB-IGBT(逆阻IGBT)与IGBT相比，其反向耐受电压大大提高，不需要为保护IGBT而反向并联一个快速恢复二极管，所以可以使用在需要承受反向电压的场合。如IXR系列RB-IGBT，其VCES可以高达1200V，电流可以达到25~55A。
3.2SiC功率器件
在电力电子行业中，硅功率器件已经成功地应用了五十多年，基于硅技术的功率器件即将达到其功率处理和开关频率能力的物理极限。尽管高压硅功率器件通过把电流处理能力提高至单个器件超过1500A，使其已经达到了很大的功率处理能力，但是其电压等级一般低于6.5kV，开关频率通常低于1kHz。此外，这些硅功率器件通常不能应用在高于125℃的电力电子系统中。
具有高压、高频率、高工作温度能力的功率半导体器件的需求不断增长，特别是在高级功率转换和军事应用中更是如此，此外对电力电子系统的体积和重量而言也要求不断降低。硅功率器件的应用场合需要昂贵的冷却系统和昂贵的缓冲器，大量的硅功率器件都需要并联或串联工作。鉴于宽禁带碳化硅（SiC）材料具有优越特性（例如，相对硅材料，具有十倍的击穿电压、更高的热导率和更低的本征载流子浓度），认为是最有前途的后硅替代材料，可以实现上述目标。自20世纪90年代，经过不断改进，碳化硅单晶晶圆[11]已经取得重大进展，正朝着低缺陷、厚外延SiC材料和高压SiC器件的方向发展，包括10kV SiC MOSFET，3.1kV门极可关断晶闸管（GTO）、13kV绝缘栅双极晶体管（IGBT）和4.5kV SiC发射极可关断晶闸管（ETO）。
在这些开发中的高压SiC器件中（尚未商用），SiC MOSFET的通态电阻随着它们的阻断电压和工作结温的上升而显著增加，这使得该器件在高压直流电源（15kV）供电的应用场合不能使用。对于15-25kV阻断电压的高压功率器件，由于具有优越的通态特性、快速开关速度和优秀的安全工作区（SOA），SiC IGBT技术变得很有吸引力。开关器件的功率密度处理能力（Sd）为正常工作电流密度（Jdc）和阻断电压（BV）的乘积。由于不成熟的材料生长技术限制了该器件的最大尺寸，当前SiC功率器件的制造相比同类硅器件具有更小的管芯尺寸。然而，依据材料特性和损耗计算，与同类的硅器件相比，SiC功率器件有能力处理三倍以上功率和几倍的开关速率。在更高的工作频率下，较高功耗产生更多的自热，导致更高工作结温（225℃左右），因此在高工作结温条件下，这些器件的功率处理能力和频率能力得到提高[11]。
3.3BiMOSFET器件
Si功率器件和新兴的SiC功率器件中MOSFET和IGBT发展最为成熟。然而，它们也存在着一些缺陷。例如，MOSFET通常需要串并联使用来克服高电压和高导通电阻的限制，而高电压IGBT的速度对于有些应用显得有些慢。而高压BiMOSFET晶体管家族的出现客服上了上述缺点。
在IXBH40N160系列里，IXYS公司利用集电极短路技术开发了一款速度极快，均匀基底的IGBT。因为这项改进使得器件运行时表现出低导通电阻MOSFET的运行特性，IXYS公司将这一类新的器件命名为BiMOSFET。其VCES可以高达1400V~3000V，电流5.7~70A,导通电阻比同等电压等级的MOSFET小10%，而且拥有更快的开关速率（开关时间减少了200ns）。把MOSFET和BiMOSFET对比来看，BiMOSFET的损耗大概要小35％左右[14]。因此，它将代替传统IGBT和MOSFET在10kHz—75kHz的高压领域的地位。
传统MOSFET和IGBT的结构通常被认为是双扩散MOS，它包含一层外延硅，这种硅生长于一层低电阻率的厚硅基顶部。但是，在电压超过1200V的情况下，N型硅层的小厚度变得很有魅力，而且无外延硅的结构使得成本也得到了降低。这种结构也被称为“均匀基”或者“非穿通型”。在BiMOSFET中，依然保留了IGBT典型的PNPN结构，但是注意N+集电极短路结构的引入减小了PNP晶体管的电流增益，同时也减少了开关关断时的影响。然而，现在在基极和射极之间连接了一个“自由”本征二极管，就像我们在MOSFET结构中看到的一样，这也是我们将其命名为BiMOSFET的一个原因。BiMOSFET晶体管的关断性能由集电极短路的数量控制。为了使二极管可用并且不产生换流dV/dt过高的问题，少数载流子的寿命必须通过辐射的方法缩短。最终获取的是这样一种器件，通过去除集电极短路结构并配合一定量的辐射，该器件可被优化为高频或者低频开关。
由于在众多场合本征二极管的电气性能没有达到最优，比如高导通电压、大反向恢复电流或者过高的功率损耗。如今开发出一项改进的制作工艺去阻塞本征二极管而不对集电极短路结构的有效性产生影响。BiMOSFET系列的第一个带有阻塞二极管的产品是IXLH45N160BIMOSFET，其额定电压为1600V，它本来被打算用于低重复率的大电流应用场合。这系列的器件由于没有受过辐射，具有很低的饱和电压（Ic=30A时为3.5V）。它的开关速率由集电极短路的数量控制；短路数量饱和电压越高（导电区域减少），但是同时开关频率却越来越快[12]。
近年来，GaN开始表现出比SiC有更大的发展潜力。由于与SiC-MOSFET为纵向型元器件不同，GaN-MOSFET为横向型元器件，因而容易将外围芯片集成在同一底板上。从长期来看，SiC及GaN将会逐步取代硅制的功率半导体，但由于工艺和成本问题，形成成熟的产品还需要一段时间。
4功率电路
电力电子变压器主要包括AC-AC变换器和AC-DC变换器。一般地，AC-AC变换器的前级电路为AC-DC变换器，后级电路为DC-AC变换器。对于后级DC-AC变换器，可以为单相输出或三相输出，还可以并联输出和级联(串联)输出。鉴于此，以下各图中一般不出现后级DC-AC变换器。对于前级AC-DC变换器而言，也可以采用输出端串联方案，提高整体耐压水平。
到目前为止，出现了多种功率电路。鉴于电力电子变压器需要采用高频降压变压器，实现降压和电气隔离，可以根据变压器前级和后级不同的电路组成，进行不同种类的划分。变压器前级电路主要包括交直交型和交交型，变压器后级电路主要包括不可控整流型和PWM可控整流型。
4.1单相供电交-直-交型前级电路
单相供电交-直-交型前级电路的功率电路如图1所示，主要由升压电感、单相电压型整流器、储能电容、单相电压型逆变器组成。输入中低压交流正弦电压，输出高频交流方波电压。
图1 单相交流供电的交-直-交型前级电路
工作原理：采用单相PWM整流技术，通过升压电感、单相电压型整流器和储能电容完成AC-DC转换，获得高于输入交流电压幅值的直流电压和单位输入功率因数。采用单相PWM逆变技术，通过单相电压型逆变器完成DC-AC转换，获得高频方波电压，输入给降压变压器的初级线圈。
单相供电交直交型前级电路原理简单，易于实现，但是电路有两级高频变换器，具有元器件数量多、成本高、功率损耗大、控制策略复杂等缺点，不利于大规模商业生产和应用。
4.2单相供电交交型前级电路（单相-单相矩阵变换器）
单相供电交-交型前级电路的功率电路如图2所示，主要由LC滤波器、单相-单相矩阵变换器组成。输入中低压交流正弦电压，输出高频交流方波电压。
图2 单相交流供电的交-交型前级电路
工作原理：采用单相-单相矩阵变换技术或占空比为50%的斩波技术，通过LC滤波器、单相-单相矩阵变换器完成AC-AC转换，获得高频交变电压，输入给降压变压器的初级线圈。
单相供电交交型前级电路采用单相-单相矩阵变换器直接将工频中低压交流电压转变为高频交变电压，省去了中间储能环节，具有结构紧凑、效率高、控制策略灵活、谐波污染小、正弦的输入电流和输出电压等诸多优点。矩阵变换器不仅克服了周波变流器的缺陷，而且相对于交直交型变换器而言也有较大优势。
4.3三相供电交-直-交型前级电路（三相PWM电压源型整流器）
三相供电交-直-交型前级电路的功率电路如图3所示，主要由升压电感、三相电压型整流器、储能电容、单相电压型逆变器组成。输入中低压交流正弦电压，输出高频交流方波电压。
图3 三相供电的交-直-交型前级电路
工作原理：采用三相PWM整流技术，通过升压电感、三相电压型整流器和储能电容完成AC-DC转换，获得高于输入交流电压幅值的直流电压和单位输入功率因数。采用单相PWM逆变技术，通过单相电压型逆变器完成DC-AC转换与储能电容，获得高频方波电压，输入给降压变压器的初级线圈。
三相供电交-直-交型前级电路原理简单，易于实现，三相PWM整流电路较单相PWM整流电路输出电压频率高、谐波少、波形更加光滑平稳，但是电路也具有两级高频变换器，结构不紧凑，元器件数量众多，成本高，功率损耗大，控制策略复杂，不利于大规模商业生产和应用。
4.4三相供电交交型前级电路（三相-单相矩阵变换器）
三相供电交-交型前级电路的功率电路如图4所示，主要由LC滤波器、三相-单相矩阵变换器组成。输入中低压交流正弦电压，输出高频交流方波电压。
图4 三相供电的交-交型前级电路
工作原理：采用三相-单相矩阵变换技术，通过LC滤波器、三相-单相矩阵变换器完成AC-AC转换，获得高频交变电压，输入给降压变压器的初级线圈。
三相供电交-交型前级电路采用三相-单相矩阵变换器，直接将工频高压电流变换为高频交流电流，无中间储能环节，具有结构紧凑、效率高、控制策略灵活、谐波污染小等诸多优点［13］，其与单相-单相矩阵变换器对比，具有更丰富的控制策略与更灵活的算法，输出波形更加任意，方便实现各种功能。
4.5二极管不控整流器后级电路
基于二极管不控整流器的后级电路如图5所示，主要为由快速反向恢复型二极管构成单相不可控整流电路。输入低压交流方波电压，输出低压直流电压。
图5 二极管不控整流型后级电路
工作原理：输入电压正半周高于直流电压时，二极管D1、D4导通，电解电容充电；输入电压负半周高于直流电压时，二极管D2、D3导通，电解电容充电。
二极管不控整流器后级电路结构简易，原理简单，实用性强，但是其直流输出电压大小只依赖于交流电源电压的大小而不能调控，不能满足实际应用中多种电压等级的需求。
4.6单相PWM可控整流型后级电路
单相PWM可控整流型后级电路如图6所示，主要为由逆导型功率开关构成的单相可控整流电路。输入高频低压交流方波电压，输出低压直流电压。
图6 单相PWM可控整流型后级电路
工作原理：输入电压正半周高于直流电压时，逆导型功率开关S1、S4的反并联二极管导通，电解电容充电；输入电压负半周高于直流电压时，逆导型功率开关S2、S3的反并联二极管导通，电解电容充电。需要能量回馈时，单相电压源型整流器也可以工作在逆变状态。
图6所示的单相电压源型整流器也可以用单相低端半控、单相高端半控、单相桥臂半控整流器代替。
单相PWM可控整流型后级电路结构简易，控制灵活，实用性强，其输出直流电波形光滑平稳，谐波含量少，且大小可调，能满足多种电压等级的需求，另外，电路采用IGBT作为开关器件，能量可双向流动，对于电能回馈具有重要意义。
作者简介
马红星（1987-）男上海交通大学电气工程系硕士研究生，专业为电力电子与电力传动，研究方向为电力电子变压器。
参考文献
[1]《电器工业》编辑部．坚强智能电网发展规划与建设试点[J]．电器工业，2010（7）:18-23．
[2]Ronan E R,Sudhoff S D,Glover S F,Galloway D L.Application of Power Electronics to the Distribution Transformer[J]．IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, 2000, (2): 861-867．
[3]刘倩倩．美国的智能电网建设[J]．山西能源与节能，2010（01）：74-75．
[4]潘诗锋，赵剑锋．电力电子变压器及其发展综述[J]．江苏电机工程，2003，22(6)：52-54．
[5]曹解围．电子电力变压器及其在输电系统中的应用[D]．武汉：华中科技大学，2005．
[6]邓卫华，张波，胡宗波等．电力电子变压器电路拓扑与控制策略研究[J]．电力系统自动化，2003，27(20)：40-48．
[7]方华亮，黄贻煜，范澍，陆继明，毛承雄等．配电系统电力电子变压器的研究[J]．电力系统及其自动化学报，2003，15(4)：27-31．
[8]叶立剑，邹勉，杨小慧等．IGBT技术发展综述[J]．半导体技术，2008，33(11)：937-940．
[9]M.Rahimo et al.A High Current 3300V Module Employing RC-IGBTs Setting a New Benchmark in Output Power Capability.Proc.ISPSD, 08:68．
[10]M.Yatsu,K.Kuroki,M.Katoh,M.Fujikura.Three-Phase 200kVA UPS with IGBT consisting of high power factor converter and instantaneous waveform controlled HF PWM inverter,in proceedings of IECON’90,pp1057-1062, 1990．
[11]JUN WANG,ALEX Q.HUANG,WOONGJE SUNG,YU LIU, and B.JAYANT BALIGA(著)，张永鑫，田书欣，杨喜军，姜建国(译).智能电网技术-15kV SiC IGBT的发展及其对电力应用的影响(Development of 15-kV SiC IGBTs and Their Impact on Utility Applications).变频器世界，2010（5）：102-104．
[12]Ralph E.Locher,Abhijit D.Use of BiMOSFETs in Modern Radar Transmitters[J]．IEEE 2001 PEDS,2001,776-782．
[13]PATRICK W W,JOSE R,JON C C,et al.Matrix converter：a technology review[J]．IEEE Trans on Inst Elect,2009,49(2):276-288．
（未完待续）
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