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装备SEMiX,变频器将更胜一筹

放大字体  缩小字体 发布日期:2013-01-28   浏览次数:48610
SEMiXTM 功率模块是为沟槽式IGBT开发的,该产品系列的设计最大限度地发挥了芯片的性能。因此,沟槽式IGBT和赛米控相应的CAL反向
SEMiXTM 功率模块是为沟槽式IGBT开发的,该产品系列的设计最大限度地发挥了芯片的性能。因此,沟槽式IGBT和赛米控相应的CAL反向二极管的优点可以在变频器内得到充分的发挥。通过内部结构的改进,沟槽式IGBT的低饱和压降特性可以被充分地利用。故而,SEMiXTM 半桥模块的导通损耗要比同类产品低 40%。


SEMiXTM 产品系列有四种不同的外壳尺寸:SEMiXTM 2、SEMiXTM 3、SEMiXTM 4在半桥和制动斩波器布局中;SEMiXTM 33 为6单元模块。SEMiXTM模块的电压等级为600伏、1200伏和1700伏;其相应的电流范围为190安至1000安。功率大于200千瓦的变频器可采用并联半桥的方式来实现。


客户有三种接口形式可选:第一种是带驱动的IPM、第二种是带辅助接触端子的模块、第三种模块内部的每个IGBT芯片都可以就驱动和保护功能被分别优化。基于宽广的功率范围和各种不同的功能,这个产品系列组成了一个单一的技术平台,同时满足了变频器市场的所有要求。


在新的设计理念和生产工艺的基础上,不同接口的模块只是在生产链的最终阶段才分化开来。除了几种电路和尺寸的变化之外,其基本构造是完全相同的。因而,即使是为客户定制的模块,交货时间也可以很短。


在此创新的模块设计的基础上,一个变频器可以配置一个6单元模块或者三个相同、独立的半桥。而且,半桥型配置可以使热阻大约降低20%,如温度不变,变频器的输出电流可增加15%,或芯片温度可降低10-15°C,从而显著地延长了寿命。

 
 
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