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代换AON6512 n沟道mos管 应用电动工具

  • 产品/服务:代换AON6512
  • 品 牌:
  • 型 号:AON6512
  • 单 价:面议
  • 最小起订量:1 个
  • 供货总量:
  • 发货期限:需与商家沟通约定
  • 有效期至:长期有效
  • 浏览次数:15112

产品详细说明

 

代换AON6512 锂电池保护板 MOS管
1)自主研发 自主生产

从研发、设计到工厂制造一体化(IDM+Foundry模式),并与晶圆厂达成战略合作,80%由中芯国际、台湾力积电提供。

来自国内一线厂家的数名15年以上研发经验的工程师和FAE工程师,专注于电源保护(锂电池保护、储能方面)、电机驱动市场上的应用,并提供个性化开发,产品更新迭代。

公司是国内率先推出量产级1200V 1700V SiC MOSFET的单位之一,目前拥有SiC MOSFET 量产产品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量产产品达千款,现货库存充足,中低压型号规格齐全。

交期快,无论是新老产品更新到出品,还是量产产品出货。

2)多种工艺 多种规格(代换AON6512)

公司拥有中高压平面 MOSFET,600V~1200V SJ MOSFET ,第三代Trench Mos和SGT MOS等工艺,并申请了相关专利。

中高压平面 MOSFET 系列(40V-1500V)

• 新型的横向变掺杂技术终端实现技术;

• 专有的功率MOS结构;  

已成功研发600V~1200V SJ MOSFET

• 采用多次外延工艺制作,与trench工艺相比,具有优异的抗EMI

及抗浪涌能力

• 采用电荷平衡理论的器件结构,Ronsp明显下降

• 可集成快恢复二极管

Trench Mos产品(替代IRLR8726)

• 拥有完整的trench mos产品体系,电压范围从-100V~200V

SGT Mos产品

• 拥有30V、40V、60V、80V、100V的产品系列

• 在同等参数情况下,内阻更小,芯核产热小,启动更快

以上产品华镁申请了多项专利,在锂电池保护方面我们拥有5项专利,专注MOS管领域

3)数据对标 实力体现

产品名

沟道类型

封装形式

VDS(V)

ID(A)

VGS(V)

VTH(V)

RDSON @10V (mΩ) Typ

华镁D85V43N

N

TO-252

30

85

±20

1.7

3.7

国外IRLR8726

N

TO-252

30

86

±20

1.8

4

华镁D8507NX

N

TO-252

30

80

±20

1.6

4.8

国内知名 3080

N

TO-252

30

80

±20

1.6

5.5

华镁无论与国内还是国外数据对标,在内阻上更低,芯片产热更低

4)购买无忧 省心省时(代换AON6512)

售前:有FAE提供专业的选型意见,并可免费为客户提供其他产品的检测

售中:提供样品的定制,出样周期短

售后:出现产品售后问题,有相应工程师提供专业意见,分析问题,解决问题。根据客户市场应用,提供定制化产品,更新迭代

华镁为整机设备厂、线路板厂、代理贸易商提供更为便捷省心的服务以及一体化的解决方案。

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