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2030KTrench MOSFET的工作原理当栅极与源极之间电压小于阈值电压（即Vos

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。

代换AON6512 锂电池保护板 MOS管
1)自主研发 自主生产

从研发、设计到工厂制造一体化（IDM+Foundry模式），并与晶圆厂达成战略合作，80%由中芯国际、台湾力积电提供。

来自国内一线厂家的数名15年以上研发经验的工程师和FAE工程师，专注于电源保护（锂电池保护、储能方面）、电机驱动市场上的应用，并提供个性化开发，产品更新迭代。

公司是国内率先推出量产级1200V 1700V SiC MOSFET的单位之一，目前拥有SiC MOSFET 量产产品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量产产品达千款，现货库存充足，中低压型号规格齐全。

交期快，无论是新老产品更新到出品，还是量产产品出货。

2）多种工艺 多种规格(代换AON6512)

公司拥有中高压平面 MOSFET，600V~1200V SJ MOSFET ，第三代Trench Mos和SGT MOS等工艺，并申请了相关专利。

中高压平面 MOSFET 系列（40V-1500V）

• 新型的横向变掺杂技术终端实现技术；

• 专有的功率MOS结构；  

已成功研发600V~1200V SJ MOSFET

• 采用多次外延工艺制作，与trench工艺相比，具有优异的抗EMI

及抗浪涌能力

• 采用电荷平衡理论的器件结构，Ronsp明显下降

• 可集成快恢复二极管

Trench Mos产品(替代IRLR8726)

• 拥有完整的trench mos产品体系，电压范围从-100V~200V

SGT Mos产品

• 拥有30V、40V、60V、80V、100V的产品系列

• 在同等参数情况下，内阻更小，芯核产热小，启动更快

以上产品华镁申请了多项专利，在锂电池保护方面我们拥有5项专利，专注MOS管领域

3）数据对标 实力体现

华镁无论与国内还是国外数据对标，在内阻上更低，芯片产热更低

4）购买无忧 省心省时(代换AON6512)

售前：有FAE提供专业的选型意见，并可免费为客户提供其他产品的检测

售中：提供样品的定制，出样周期短

售后：出现产品售后问题，有相应工程师提供专业意见，分析问题，解决问题。根据客户市场应用，提供定制化产品，更新迭代

华镁为整机设备厂、线路板厂、代理贸易商提供更为便捷省心的服务以及一体化的解决方案。