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替代3080K应用滑板车p沟道mos管工艺
3080K1 ) 晶粒切割， Wafer Sawing.使用高速旋转的切割刀，把晶圆上的晶粒切割分离开来.2) 晶粒黏贴， Die Attach.银胶把晶粒黏贴到导线框架的预定位置上.3) 焊线， Wire Bond.在晶粒的焊点和引脚框架的引脚之间，焊接上金属细线，建立晶粒电路与外部的连接.4）封塑， Molding.把黏有晶粒，熔好线的引脚枢架放置到压铸模具中，再把熔融的树脂塑料压入模中，把整个晶粒按封装要求被包裹起来.5) 切割成型，Trim and Form.将引脚框架多余的连接材料切除掉，并根据产品的封装形式，把引脚塑造成需要的形状。6) 最终测试，Final Test.测试产品的性能是否符合要求.通过测试的产品被认为是合格产
3080K在Si基屏蔽栅沟槽低压功率器件技术基础上，讨论了SGT MOSFET器件发展过程中的各种结构改进点及电学性能特点，简述了SGT MOSFET器件研究的一些新进展，同时列举了SGT MOSFET器件研究需要解决的问题，并对SGT MOSFET的未来发
展做了展望。


替代3080K常见问题
过快的充电会导致激烈的米勒震荡，但过慢的充电虽减小了震荡，但会延长开关从而增加开关损耗。MOS 开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻（导通内阻一般低压 MOS 只有几毫欧姆）的一个转变过程。
比如一个 MOS **电流 100a，电池电压 96v，在开通过程中，有那么一瞬间（刚进入米勒平台时）MOS 发热功率是 P=V*I（此时电流已达**，负载尚未跑起来，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！这时它发热功率**，然后发热功率迅速降低直到完全导通时功率变成 100*100*0.003=30w（这里假设这个 MOS 导通内阻 3 毫欧姆）。开关过程中这个发热功率变化是惊人的。
如果开通时间慢，意味着发热从 9600w 到 30w 过渡的慢，MOS 结温会升高的厉害。所以开关越慢，结温越高，容易烧 MOS。为了不烧 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低电池电压，比如给它限制 50a 或电压降低一半成 48v，这样开关发热损耗也降低了一半。不烧管子了。
这也是高压控容易烧管子原因，高压控制器和低压的只有开关损耗不一样（开关损耗和电池端电压基本成正比，假设限流一样），导通损耗完全受 MOS 内阻决定，和电池电压没任何关系。
其实整个 MOS 开通过程非常复杂。里面变量太多。总之就是开关慢不容易米勒震荡，但开关损耗大，管子发热大，开关速度快理论上开关损耗低（只要能有效抑制米勒震荡），但是往往米勒震荡很厉害（如果米勒震荡很严重，可能在米勒平台就烧管子了），反而开关损耗也大，并且上臂 MOS 震荡更有可能引起下臂 MOS 误导通，形成上下臂短路。
所以这个很考验设计师的驱动电路布线和主回路布线技能。最终就是找个平衡点（一般开通过程不超过 1us）。开通损耗这个最简单，只和导通电阻成正比，想大电流低损耗找内阻低的。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。