自动化一站式网上交易平台

替代6080K应用13串n沟道mos管工艺
6080K前道生产主要指晶圆制造，包括光刻、等离子体刻蚀、离子注入、离子扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等复杂的加工步骤. 这些加工步骤的目的是主要在硅片上创作出一个个具有完整功能的晶粒. 每个晶粒的电性能，由探针台与自动测试设备搭建的晶圆测试平台进行验证. 不能通过测试的晶粒，会被点上墨点，作为不合格的标记. 在后道生产中会识别这些标记，有墨点的晶粒不会被加工. 由于晶圆被称为Wafer 或者Die，对晶粒的测试也被称为Wafer Sorting 或Die Sorting。
6080KMOS器件工艺流程：铝栅N型沟道MOS管制作工艺流程铝栅N型沟道MOS管工艺流程，工艺流程中相应结构剖面。


替代6080K常见问题
1、6080Kmos管小电流发热的原因：
  1）电路设计的问题：就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态，这也是导致MOS管发热的一个原因。
如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
  2）频率太高：主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
  3）没有做好足够的散热设计：电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于**电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
  4）6080KMOS管的选型有误：对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

2、6080Kmos管小电流发热严重怎么解决：
做好MOS管的散热设计，添加足够多的辅助散热片。
贴散热胶。

3、6080KMOS管为什么可以防止电源反接？
电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。
一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池使用时间大减。
MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。
由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。

4、电池保护板MOS管放电过程中烧坏的原因
6080KMOS管烧坏的情况在焊接过程中有短路现象，放电过程中MOS管没有完全打开，处于关闭或半打开状态，PCBA内阻变大，长时间大电流放电，发热烧坏、烧糊。
生产组装过程有静电残留，或在充放电过程中有外部异常电流／大电压充放电过程导致MOS管被损坏、烧糊。
保护板MOS管烧坏处理方法：建议在焊接串线过程时先焊B4-线（因为靠近B2串的R19短路的风险大）然后在焊接B2串，这样可以规避B2和B4短路引起的不良。
6080KMOS管烧坏防护措施：生产过程各环节做好ESD防护工作，焊接过程中特别是带电岗位防止触碰元器件或线路，建议在焊接串线过程中先焊B4再焊B2线。

5、超过GS或DS耐压造成MOS击穿
设计时要对GS和DS的耐压有足够的余量。不要太靠近临界值，否则在实际应用中，电压的波动或者温度的变化可能会使电压超过耐压值而损坏MOS。

6、持续大电流造成热击穿
长时间的大电流，例如D8540NX一直以33A持续过电流，芯片的内核会逐渐升温到170度以上，芯片的内核即可能会被击穿。

7、瞬间高压
尤其是配合电机使用时，当电机突然停止时，会产生瞬时的反向电压，如果续流二极管不够大，则可能会损伤MOS。

8、6080K瞬间短路电流
当短路瞬间电流超过了MOS的IDM，如果持续时间超过前述表9的边界范围，则有可能导致MOS瞬间击穿。

9、6080KESD影响
冬天尤其要注意，ESD高发时，Ciss电容越小，越容易受到ESD的影响。

10、高频开关损耗过大
高频开关，尤其是调速或无刷应用时，MOS处于高频开关状态，如果驱动和MOS的开关速度没有配合好，导致开关损耗过大，也同样容易使MOS升温导致损坏。

11、6080KGS驱动电压不匹配
对于高开启的MOS，却使用5V，甚至3.3V的电源来驱动，或者驱动电阻分压不当，例如满电时GS分压为10V，但接近空电时只有5V左右的电压，导致MOS开启不完全，内阻成倍增加，通过电流时会快速产生热量导致MOS烧坏。

12、6080KMOS 损坏主要原因：

过流 ---------- 持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；

过压 ---------- 源漏过压击穿、源栅极过压击穿；

静电 ---------- 静电击穿，CMOS 电路都怕静电；


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。