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7560K半导体器件制作工艺分为前道和后道工序，晶圆制造和测试被称为前道（Front End）工序，而芯片的封装、测试及成品入库则被称为后道（Back End）工序，前道和后道一般在不同的工厂分开处理。
前道工序是从整块硅圆片入手经多次重复的制膜、氧化、扩散，包括照相制版和光刻等工序，制成三极管、集成电路等半导体元件及电极等，开发材料的电子功能，以实现所要求的元器件特性。
7560K同时，新工艺和新的Trench结构也不断使得Trench MOS的性能越来越优秀。比如，韩国的Jongdae Kim等人提出了一个利用氢退火的自对准工艺，这个工艺只需要3块光刻版就可以制作出一个可靠性很强的Trench结构［8].日本的Toyota公司提出了一种应用于汽车电子FITMOS结构，性能要比传统的Trench MOS好50%以上［9].在2003年，韩国的ETRI组织提出的两种新的Trench结构可以将单胞尺寸做到1.6um,在击穿电压为43V时，开态特性电阻为0.28mΩ.c㎡[10].随着Trench MOS结构和工艺的越来越成熟，人们不再把Trench MOS局限在低压的范围内。随着把“super Junction”和“multi RESURF”技术的引入，100V的Trench MOSFET已经日趋成熟，250V、300V的Trench MOSFET也开始有了报道。目前国外很多公司已经涉足该领域。如美国国际整流器IR(InternationalRectifier)公司应用于汽车领域的基于Trench MOSFET的产品，耐压包括40V、55V、75V、100V.美国仙童半导体（Fairchild Semiconductor)的Trench MOSFET产品FDB045AN08A0,耐75V,RpsON可以做到3.9mΩ.c㎡(VGs=10V);2003年4月推出的FDB3632/FDP3632/FD13632,耐压达到100V,RDSON做到7.5mΩ.c㎡（Vos=10V)。


替代7560K常见问题
7560KMOS 开关原理（简要）。MOS 是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为 MOS 内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了 MOS 芯片能承受的**导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
7560KMOS 问题远没这么简单，麻烦在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程（电容电压不能突变），所以 MOS 源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。
然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们相互影响，并不是独立的，如果独立的就很简单了。其中一个关键电容就是栅极和漏级间的电容 Cgd，这个电容业界称为米勒电容。这个电容不是恒定的，随栅极和漏级间电压变化而迅速变化。这个米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石，因为栅极给栅 - 源电容 Cgs 充电达到一个平台后，栅极的充电电流必须给米勒电容 Cgd 充电，这时栅极和源级间电压不再升高，达到一个平台，这个是米勒平台（米勒平台就是给 Cgd 充电的过程），米勒平台大家首先想到的麻烦就是米勒振荡。（即，栅极先给 Cgs 充电，到达一定平台后再给 Cgd 充电）
因为这个时候源级和漏级间电压迅速变化，内部电容相应迅速充放电，这些电流脉冲会导致 MOS 寄生电感产生很大感抗，这里面就有电容，电感，电阻组成震荡电路（能形成 2 个回路），并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大。所以最关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。
Gs 极加电容，减慢 MOS 管导通时间，有助于减小米勒振荡。防止 MOS 管烧毁。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。