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AOD403在国内，虽然有不少公司已经涉及该领域，并有Trench MOSFET问世，特别是在低压低功率方面。但有关Trench MOS的研究和制作毕竟还处于刚刚起步的状态，许多技术和工艺还是空白，研究和制作Trench MOS是很有意义的。
ESD保护栅结构的功率 MOSFET 发展现状：低压沟槽MOSFET器件通常被当做电机驱动，同步整流等方面的电压驱动功
率开关使用，其工作方式不同于一般电路的工作情况，器件既要防止静电造成栅氧化层的击穿，同时还要防止应用系统产生的过电压施加到功率MOSFET的栅极上，带来功率器件的损坏。因此，功率MOSFET的器件设计，除了要考虑器件的抗雪崩能力之外，还需努力提高功率MOSFET的抗静电能力和抗过电压能力。
AOD403VV MOSFET 是第一个商业化功率 MOSFET，VV MOSFET 是利用 V 型槽来实现垂直导电，当 Vgs 大于 0 时，在 V 型槽外壁与硅表面接触的地方形成一个电场，P 区时 N+区域的电子受到吸引，当 Vgs 足够大时，就会形成 N 型导电沟道，使漏、源极之间有电流流过；VV MOSFET 特点：VV MOSFET 不仅继承了 LD MOSFET 输入阻抗高、驱动电流小、还具有耐压高（最高可耐压 1200V）、工作电流大（1.5A~100A）、跨导线性好、开关速度快等优良特性；但因 VV MOSFET 是利用各向异性原理湿法腐蚀形成沟槽结构，其工艺稳定性不佳且存在尖端放电的问题，所以目前使用较少。 VV MOSFET 主要应用在电压放大器、功率放大器、开关电源和逆变器中。


替代AOD403常见问题

例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。