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AOD409半导体制造的工艺过程由晶圆制造（Wafer Fabr ication）、晶圆测试（wafer Probe/Sorting)、芯片封装（Assemble）、测试（Test）以及后期的成品（Finish Goods）入库所组成。
AOD409SGT MOSFET的控制栅极和屏蔽栅极结构的研究也有创新。分别报道了两种通过在屏蔽栅氧化层中心和侧壁引入浮空电极来改善器件击穿特性和动态特性的新结构，其结构分别如图7a、图7b所示17,19]在图7a结构中，浮空电极对称地分0布在屏蔽栅极氧化层两侧，通过该浮空电极可以将屏蔽栅沟槽底部的电场峰值调制至漂移区，使得电场峰值下降，电场分布更加均匀；另外一种结构是在屏蔽氧化层中心（即顶部控制栅极与底部屏蔽栅极之间）引入浮空电极，通过该浮空电极来调节纵向的
电场强度分布，来达到优化器件反向耐压BV和比导通电阻Rsp的目的。对于200V的SGT MOSFET,这两种结构的BV和Rsp
可以分别做到244V,158.4mΩ·m㎡和258.3V,195mΩ·m㎡.图文献［19]报道了一种通过改变控制栅极结构。


替代AOD409常见问题
AOD409静电分析：静电的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有电场，与地球有电位差；产生放电电流。这三种情况对电子元件有以下影响：亥元件吸收灰尘，改变线路之间的阻抗，影响元件的功能和寿命。于电场或电流的作用，元件的绝缘层和导体损坏，使元件不能工作（完全损坏）。于电场的瞬时软击穿或电流过热，元件受到损坏。虽然它还能工作，但它的生命受到了损害。
静电失效预防措施：OS电路输入端的保护二极管在通电时的电流容限为1毫安。当可能出现过大的瞬时输入电流（大于10mA)时，输入保护电阻应串联。由于保护电路吸收的瞬时能量有限，过大的瞬时信号和过高的静电电压会使保护电路失效。在焊接过程中，烙铁必须可靠接地，以防止设备输入端子泄漏。一般使用时，断电后，可利用烙铁的余热进行焊接，其接地脚应先焊好。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。