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AON6512非钳位感性开关（Unclamped Inductive Switching,UIS)能力一直是SGT MSOFET研究的热点。除了寄生NPN三级管开启、较弱的终端结构设计和电荷平衡外12,关于SGT MOSFET UIS失效机理的最近研究表明屏蔽栅极多晶硅的电位分布不均匀是引起SGT MOSFET在大电流下UIS失效的主要原因12.与传统SGT MOSFET不同的改进UIS特性的新结构也被提出：传统 SGT MOSFET 通常在终端区将屏蔽栅极外接，新结构通过在元胞区的屏蔽栅极氧化物上方刻蚀接触孔，直接将屏蔽栅极多晶硅与源极金属相接；当发生雪崩时，位移电流直接通过该接触孔从屏蔽栅极流到源极金属。在这种情况下，屏蔽栅极和源极之间的接触电阻均匀且比常规结构小得多。沿着屏蔽栅极的感应电势分布是均匀的，并且比常规结构要低得多。因此，避免了非均匀电位分布引起的固定雪崩点导致电流集中。图5a是这种改善UIS能力的SGT MOSFET 结构14].
AON6512功率MOSFET是将微电子技术和电力电子技术融合起来的新一代功率半导体器件。因其具有输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定性好、安全工作区宽等优点，在电源保护、电源开关、DC/DC变换器和同步整流等电子设备中得
到广泛应用。


替代AON6512常见问题

例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。