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替代AON6554国产mos管工艺
AON6554屏蔽栅 MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET，缩写 SGT-MOSFET）功率器件是一种基于传统沟槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一种改进型的沟槽式功率 MOSFET。相比于传统 U-MOSFET 功率器件，它的开关速度更快，开关损耗更低，具有更好的器件性能。对于 SGT-MOSFET 功率器件，沟槽底部的形貌对器件性能都有非常重要的影响。当 SGT-MOSFET 功率器件沟槽底部氧化膜出现空洞时，器件 IDSS（漏源短路电流）将增大。SGT-MOSFET 功率器件相比传统 U-MOSFET 功率器件的沟槽深度大大加深了，以往的沟槽清洗干燥工艺，沟槽底部易有水渍残留。水渍会导致底部氧化膜生长异常，产生空洞。调整沟槽清洗干燥工艺，晶圆在清洗干燥过程中，将晶圆脱离去离子水水面的速度降低，即可实现晶圆的充分干燥，摆脱水渍残留。
AON6554在功率金氧半场效晶体管(powermetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，powermosfet)器件的制造过程中，在硅衬底上形成硅氧化物层后，需要分别进行硅氧化物层的刻蚀和硅衬底的刻蚀，在硅衬底上形成沟槽。


替代AON6554常见问题
AON6554静电分析：静电的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有电场，与地球有电位差；产生放电电流。这三种情况对电子元件有以下影响：亥元件吸收灰尘，改变线路之间的阻抗，影响元件的功能和寿命。于电场或电流的作用，元件的绝缘层和导体损坏，使元件不能工作（完全损坏）。于电场的瞬时软击穿或电流过热，元件受到损坏。虽然它还能工作，但它的生命受到了损害。
静电失效预防措施：OS电路输入端的保护二极管在通电时的电流容限为1毫安。当可能出现过大的瞬时输入电流（大于10mA)时，输入保护电阻应串联。由于保护电路吸收的瞬时能量有限，过大的瞬时信号和过高的静电电压会使保护电路失效。在焊接过程中，烙铁必须可靠接地，以防止设备输入端子泄漏。一般使用时，断电后，可利用烙铁的余热进行焊接，其接地脚应先焊好。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。