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替代AON6752应用19串芯片mos管工艺
AON6752晶圆粘贴晶圆粘贴的目的将切割好的晶元颗粒用银膏粘贴在引线框架的晶元庙上，用粘合剂将已切下来的芯片贴装到引线框架的中间燥盘上。通常是环氧（或聚酰亚胺）用作为填充物以增加粘合剂的导热性。

替代AON6752常见问题
AON6752皆振失效：功率MOS管并联而不插入栅极电阻但直接连接时发生的栅极寄生振荡。
漏源电压在高速下反复接通和断开时，这种寄生振荡发生在由栅极漏极电容Cgd(Crss)和栅极pin电感Lg构成的谐振电路中。
建立共振条件（ωL=1/ωC)时，在栅极和源极之间施加远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，栅极因超过栅极源额定电压而损坏，漏源电压开关时的振动电压通过栅极漏极电容器Cgd和Vgs的重叠波形产生正反馈，可能引起故障引起振荡破坏。
皆振失效预防措施：且力可以抑制由于阻尼引起的振荡。然而，将一个小电阻串联到栅极上并不能解决振荡阻尼问题，主要原因是驱动电路的阻抗匹配和功率管开关时间的周整。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。