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替代AON6560应用电动工具MOS管工艺
AON6560沟槽式栅极 MOSFET 是将 VD MOSFT 中的“T”导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路，从而降低通态电阻。U 型沟槽为平面型演变，切开翻转 90 度，栅结构不与螺片表面平行而是构建在沟道之中垂直于表面，因此占用空间较少且使电流流动真正垂直，最小化基本单元面积，在相同的站位空间中可以集成更多的单元从而降低 Rdson，并维持电容不变。Trench MOSFET 制作工艺是采用 RIE挖深槽，再用多晶硅填充栅极。
AON6560同时，新工艺和新的Trench结构也不断使得Trench MOS的性能越来越优秀。比如，韩国的Jongdae Kim等人提出了一个利用氢退火的自对准工艺，这个工艺只需要3块光刻版就可以制作出一个可靠性很强的Trench结构［8].日本的Toyota公司提出了一种应用于汽车电子FITMOS结构，性能要比传统的Trench MOS好50%以上［9].在2003年，韩国的ETRI组织提出的两种新的Trench结构可以将单胞尺寸做到1.6um,在击穿电压为43V时，开态特性电阻为0.28mΩ.c㎡[10].随着Trench MOS结构和工艺的越来越成熟，人们不再把Trench MOS局限在低压的范围内。随着把“super Junction”和“multi RESURF”技术的引入，100V的Trench MOSFET已经日趋成熟，250V、300V的Trench MOSFET也开始有了报道。目前国外很多公司已经涉足该领域。如美国国际整流器IR(InternationalRectifier)公司应用于汽车领域的基于Trench MOSFET的产品，耐压包括40V、55V、75V、100V.美国仙童半导体（Fairchild Semiconductor)的Trench MOSFET产品FDB045AN08A0,耐75V,RpsON可以做到3.9mΩ.c㎡(VGs=10V);2003年4月推出的FDB3632/FDP3632/FD13632,耐压达到100V,RDSON做到7.5mΩ.c㎡（Vos=10V)。


替代AON6560常见问题
AON6560本二级管故障：不同的拓扑和电路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，体二极管的速度也是影响MOS管可靠性的一个重要因素。由于二极管本身是寄生参数，因此很难区分漏源体二极管故障和漏源电压故障。二极管故障的解决方案主要是通过结合自身电路来分析。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。