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替代AON6566应用13串国产mos管工艺
AON6566由于硅氧化物层和硅衬底的刻蚀速率不同，且需要刻蚀的厚度也不相同，因此硅氧化物层的刻蚀步骤在轰击能力比较强的电容耦合等离子体(capacitivelycoupledplasma，ccp)刻蚀设备中进行，硅衬底的刻蚀步骤在轰击能力比较弱，等离子体损伤比较小的电感耦合等离子体(inductivelycoupledplasma，icp)刻蚀机中进行。
由于硅氧化物层和硅衬底的刻蚀步骤需要在不同的刻蚀设备中完成，因此工艺较为复杂，制造效率较低。
半导体产品从开始生产到完成制造，主要有两道加工工艺，分别被称为前道生产和后道生产。MOSFET 虽然是一种结构比较简单的半导体器件，但是也同样需要通过这两道生产加工工艺.
AON6566得益于在15V~200V低压领域的优异特性，业界对SGT MOSFET的研究在不断深入，目前SGTMOSFET在结构和特性方面的一些研究成果。采用NP交替掺杂代替单一的N型掺杂的多晶硅屏蔽栅极 SGT MOSFET被提出凹，通过在屏蔽栅极中引入PN结多晶二极管或者NPN多晶三极管结构，由PN结电容串联效应减小源漏电容Cps,即降低了输出电容Coss和与之相应的功耗Eoss,减小了器件开关过程中的能量损耗。SGTMOSFET NP交替掺杂屏蔽栅极（SSGT)与常规屏蔽栅极结构（SGT)随Vds变化下Coss和Eoss曲线比较高温反偏实验（HTRB)被广泛于功率器件结的可靠性测试和边缘终端鲁棒性的验证，其中包括BVDSS不稳定性和漏、源漏电流IDSS的增大。JifaHao等人发现传统的HTRB可靠性测试应力水平太低，无法达到SGT MOSFET的雪崩条件，不能捕获其BVDSS不稳定性现象。通过直流常数雪崩电流在SGT MOSFET器件漏极端的注入，可以测量到常温和高温下SGT MOSFET的BVDSS漂移，漂移量与注入雪崩电流的大小正相关，且随着温度的升高而增大12).通过雪崩电流注入可以测量到SGTMOSFET BVDSS漂移的机理在于：SGT漂移区是在反向耐压时时严格的电荷平衡状态，持续的电流注入应力使得空穴被注入到SGT MSOFET的屏蔽栅氧化物中，破坏了漂移区的电荷平衡，引起了BVDSS的walk-in或walk-out现象。


替代AON6566常见问题

例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。