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替代AON6590应用无人机场效应管工艺
AON6590由于沟槽侧壁晶向（110）与沟槽底面的晶向（100）不同、硅原子密度不同，若采用传统的炉管热氧方法来完成沟槽内壁的氧化层生长，将会导致沟槽底面弧形区域的氧化膜偏薄，从而在器件工作时出现沟槽底部电场集中，更容易被击穿。本工艺为达到沟槽侧壁氧化层厚度均一，沟槽底部氧化层的主体部分是由低压化学气相淀积（CVD）方法生长的。该方法有良好的表层覆盖性，可达到沟槽侧壁、底面氧化层厚度均一的目的。
AON6590沟槽功率MOSFET作为一种新型垂直结构器件,拥有开关速度快、频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、温度特性好、无二次击穿问题等优点,已经在稳压器、电源管理模块、机电控制、显示控制、汽车电子等领域得到了广泛的应用。栅极工艺是MOSFET器件制造中最核心的步骤,因此栅极工艺的优化对沟槽MOSFET器件性能和产品良率的提升具有重要的意义。论文共包括三个部分,首先阐述了沟槽MOSFET栅极制造工艺,然后分别从栅极氧化工艺和多晶硅栅淀积掺杂工艺出发进行实验设计,优化工艺,改善器件性能。 沟槽MOSFET制造流程和栅极工艺介绍：介绍了沟槽功率MOSFET的制造流程,说明了栅极氧化工艺和多晶硅栅淀积掺杂工艺原理和设备,最后阐述了沟槽MOSFET的重要电学参数及其物理意义。 沟槽MOSFET栅极牺牲氧化工艺优化研究：研究了牺牲氧化工艺温度、氧化层厚度对沟槽MOSFET器件击穿电压、栅极泄漏电流和可靠性的影响。


替代AON6590常见问题
AON6590MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（电压失效）：也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOS管的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOS管失效。2）栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。3）静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。4）谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。5）SOA失效（电流失效）：既超出MOS管安全工作区引起失效，分为ld超出器件规格失效以及ld过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
雪崩失效（电压失效）：底什么是雪崩失效呢？简单来说MOS管在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOS管漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是MOS管漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。
雪崩破坏的预防措施：理降额使用。目前，行业内降额一般选择80%-95%的降额。具体情况根据公司保修条款和电路重点来选择。理的变压器反射电压。理的RCD和TVS吸收电路设计。大电流接线尽量采用大、小布置，以减小接线寄生电感。
选择一个合理的门电阻Rg.在大功率电源中，可以根据需要增加RC阻尼或齐纳二极管吸收。
册极电压失效：造成栅极电压异常高的主要原因有三：产、运输、装配过程中的静电；电力系统运行中设备和电路寄生参数引起的高压谐振；通过Gad传检到网


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。