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替代AON6756应用电动扳手n mos管工艺
AON6756晶圆测试晶圆经过划片工艺后，表面上会形成一道一道小格，每个小格就是一个晶片或晶粒（Die），即一个独立的集成电路。在一般情况下，一个晶圆上制作的晶片具有相同的规格，但是也有可能在同一个晶圆上制作规格等级不同的晶片。晶圆测试要完成两个工作：一是对每一个晶片进行验收测试，通过针测仪器（Probe）检测每个晶片是否合格，不合格的晶片会被标上记号，以便在切割晶圆的时候将不合格晶片筛选出来；二是对每个晶片进行电气特性（如功率等）检测和分组，并作相应的区分标记。
AON6756虽然，在每个封装加工流程，都有一定的工艺控制方法和质量监测手段，但是仍然会有一些难以控制的缺陷被引入到产品中去。所以当产品完成封装后，需要边过测试来鉴定产品的质最. 就测试项目和测试方法来说.Wafer Sorting 与Final Test 的区别并不大，但是最终测试在整个生产加工流程的最后一步，对产品质量把关的作用更为重要。


替代AON6756常见问题
AON6756本二级管故障：不同的拓扑和电路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，体二极管的速度也是影响MOS管可靠性的一个重要因素。由于二极管本身是寄生参数，因此很难区分漏源体二极管故障和漏源电压故障。二极管故障的解决方案主要是通过结合自身电路来分析。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。