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替代AON7242应用平衡车p沟道mos管工艺
AON7242VV MOSFET 是第一个商业化功率 MOSFET，VV MOSFET 是利用 V 型槽来实现垂直导电，当 Vgs 大于 0 时，在 V 型槽外壁与硅表面接触的地方形成一个电场，P 区时 N+区域的电子受到吸引，当 Vgs 足够大时，就会形成 N 型导电沟道，使漏、源极之间有电流流过；VV MOSFET 特点：VV MOSFET 不仅继承了 LD MOSFET 输入阻抗高、驱动电流小、还具有耐压高（最高可耐压 1200V）、工作电流大（1.5A~100A）、跨导线性好、开关速度快等优良特性；但因 VV MOSFET 是利用各向异性原理湿法腐蚀形成沟槽结构，其工艺稳定性不佳且存在尖端放电的问题，所以目前使用较少。 VV MOSFET 主要应用在电压放大器、功率放大器、开关电源和逆变器中。
AON7242微电子封装的范围涉及从半导体芯片到整机，在这些系统中，生产电子设备包括 6 个层次，也即装配的 6 个阶段。我们从电子封装工程的角度，按习惯一般称层次 1 为零级封装；层次2 为一级封装；层次 3 为二级封装；层次 4、5、6 为三级封装。


替代AON7242常见问题
AON7242皆振失效：功率MOS管并联而不插入栅极电阻但直接连接时发生的栅极寄生振荡。
漏源电压在高速下反复接通和断开时，这种寄生振荡发生在由栅极漏极电容Cgd(Crss)和栅极pin电感Lg构成的谐振电路中。
建立共振条件（ωL=1/ωC)时，在栅极和源极之间施加远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，栅极因超过栅极源额定电压而损坏，漏源电压开关时的振动电压通过栅极漏极电容器Cgd和Vgs的重叠波形产生正反馈，可能引起故障引起振荡破坏。
皆振失效预防措施：且力可以抑制由于阻尼引起的振荡。然而，将一个小电阻串联到栅极上并不能解决振荡阻尼问题，主要原因是驱动电路的阻抗匹配和功率管开关时间的周整。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。

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