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替代AON7262E应用筋膜枪mos管控制工艺
AON7262E对失效器件进行失效分析。使用反应离子刻蚀仪（RIE）配合盐酸去除表面钝化层和金属层后，发光显微镜（EMMI）分析发现在器件源极元胞有异常点， 白色箭头所指的亮点。发光显微镜（EMMI）分析能够准确获得缺陷的具体定位。在取得缺陷定位的基础上，使用了两种手段对具体的缺陷类型进行分析。第一种利用聚焦离子束（FIB），对缺陷点进行切割，观察缺陷断面，确认异常的源头在沟槽底部的氧化层。第二种利用透射显微镜（TEM），TEM 的照片也显示沟槽底部氧化层出现空洞。
AON7262E微电子封装的功能：芯片电气特性的保持功能通过 PKG 的进步，满足不断发展的高性能、小型化、高频化等方
面的要求，确保其功能性。芯片保护功能 PKG 的芯片保护功能很直观，保护芯片表面以及连接引线等，使在电气或物
理等方面相当柔嫩的芯片免受外力损害及外部环境的影响。保证可靠性。应力缓和功能由于热等外部环境的影响或者芯片自身发热等都会产生应力，PKG 缓解应力，防止发生损坏失效，保证可靠性。尺寸调整配合（间距变化）功能由芯片的微细引线间距调整到实装基板的尺寸间距，从而便于实装操作。例如，从亚微米（目前已小于 0.13μm）为特征尺寸的芯片到以 10μm 为单位的芯片电极凸点，再到以 100μm 为单位的外部引线端子，最后到以 mm 为单位的实装基板，都是通过 PKG 来实现的。在这里 PKG 起着由小到大、由难到易、由复杂到简单的变换作用。从而可使操作费用及资材费用降低，而且提高工作效率和可靠性。保证实用性或通用性。


替代AON7262E常见问题
AON7262E本二级管故障：不同的拓扑和电路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，体二极管的速度也是影响MOS管可靠性的一个重要因素。由于二极管本身是寄生参数，因此很难区分漏源体二极管故障和漏源电压故障。二极管故障的解决方案主要是通过结合自身电路来分析。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。

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