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AON7264ELD MOSFET 特点：制造工艺简单、具有低结电容，因此开关速度快；但该工艺 MOSFET 因不能充分应用硅片尺寸，电流和电压的额定值受到限制，功率等级小；一般主要适合低压场合应用，如微处理器、运放、数字电路及射频电路。因LD MOSFET 的功率处理能力低下促使垂直导电型 V MOSFET 的出现，VMOSFET 分为 VV MOSFET 和 VU MOSFET 两种结构。
AON7264ESGT MOSFET 广泛用于同步整流，BMS，电机驱动，UPS 等 SGT 产品目前主要集中在 BVDSS≤100V,RDSON≤12mΩ
Trench MOSFET的基本结构：Trench MOS结构早在80年代初就被提了出来，Trench MOSFET的发展是围绕更高的原胞密度、更低的导通电阻、更可靠的结构和更简化的工艺展开的。可见Trench MOSFET同VDMOS一样，是纵向导电结构，但Trench MOSFET同时还是纵向沟道，这种结构不仅使Trench MOS消除了VDMOS导通电阻中的寄生JFET电阻这部分，还充分利用了圆片空间，使Trench MOS的原胞面积可以做的非常小，从而带来更大的电流和更小的导通电阻。Trench MOSFET的单胞结构图，可见其由如下几个关键部分组成：N型高掺杂浓度的衬底，作为MOSFET的漏极；低掺杂浓度的N型外延层构成漂移区；沟道区掺杂有P型杂质硼；多晶硅栅极做在Trench槽内，并使用栅氧化层将栅极和体硅分开；源区采用高浓度的磷或砷注入，并于沟道区相短接，通过金属引出作为源极。

例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。

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