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STP75NF75T4在功率金氧半场效晶体管(powermetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，powermosfet)器件的制造过程中，在硅衬底上形成硅氧化物层后，需要分别进行硅氧化物层的刻蚀和硅衬底的刻蚀，在硅衬底上形成沟槽。
STP75NF75T4前道生产主要指晶圆制造，包括光刻、等离子体刻蚀、离子注入、离子扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等复杂的加工步骤. 这些加工步骤的目的是主要在硅片上创作出一个个具有完整功能的晶粒. 每个晶粒的电性能，由探针台与自动测试设备搭建的晶圆测试平台进行验证. 不能通过测试的晶粒，会被点上墨点，作为不合格的标记. 在后道生产中会识别这些标记，有墨点的晶粒不会被加工. 由于晶圆被称为Wafer 或者Die，对晶粒的测试也被称为Wafer Sorting 或Die Sorting。


替代STP75NF75T4常见问题

例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。