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Si2302功率半导体器件的功率控制范围及其工作频率［3]在功率器件的发展过程中，功率MOSFET一直扮演着非常重要的地位。从市场份额上看，以2006年为例，功率MOSFET几乎占到整个功率器件市场的26%.而功率MOSFET之所以发展如此迅速，原因如下：（1)频率高：场效应晶体管作为一种多子器件，相比双极型功率器件，其频率有了很大提高。因此不仅在高频应用有了扩大，在缩小整机体积方面也起了关键的功率控制容量（W)作用。（2)驱动方便：场效应晶体管相比双极型晶体管，其控制方法由电流控制变为电压控制，可以直接用一些专用的高压集成电路作为驱动进行控制。（3)通态电阻小：新一代的场效应晶体管的通态电阻不仅比PN结的正向好，甚至比过去认为的有着最低正向电阻之称的肖特基二极管还好。因而MOSFET不仅是一种快速开关器件，而且在一定的条件下还是一种最佳的整流元件。这些优点使MOSFET几乎进入了功率转换的每一个领域。（4)MOSFET新型器件的扩充：以MOSFET为基础的新型器件，如IGBT,进一步扩大了MOS型器件的功率领域正因为功率MOSFET有着广泛的应用，国内外对功率MOSFET的研究从未止步，各种新型的MOSFET器件也不断涌现。
Si2302VU MOSFET（Vertical U-groove MOSFET）为了改善 V 型槽顶端的电场尖峰和电流集中效应，研究人员又发明了 VU
MOSFET，VU MOSFET 与 VV MOSFET 一致同样采用各向异性刻蚀工艺挖 U 槽。VU MOSFET 特点：解决了 VV MOSFET 尖端放电问题，提高击穿电压；沟道垂直，元胞可做得更小，元胞数增加。但其工艺稳定性不佳。


替代Si2302常见问题
1、Si2302mos管小电流发热的原因：
  1）电路设计的问题：就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态，这也是导致MOS管发热的一个原因。
如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
  2）频率太高：主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
  3）没有做好足够的散热设计：电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于**电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
  4）Si2302MOS管的选型有误：对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

2、Si2302mos管小电流发热严重怎么解决：
做好MOS管的散热设计，添加足够多的辅助散热片。
贴散热胶。

3、Si2302MOS管为什么可以防止电源反接？
电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。
一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池使用时间大减。
MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。
由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。

4、电池保护板MOS管放电过程中烧坏的原因
Si2302MOS管烧坏的情况在焊接过程中有短路现象，放电过程中MOS管没有完全打开，处于关闭或半打开状态，PCBA内阻变大，长时间大电流放电，发热烧坏、烧糊。
生产组装过程有静电残留，或在充放电过程中有外部异常电流／大电压充放电过程导致MOS管被损坏、烧糊。
保护板MOS管烧坏处理方法：建议在焊接串线过程时先焊B4-线（因为靠近B2串的R19短路的风险大）然后在焊接B2串，这样可以规避B2和B4短路引起的不良。
Si2302MOS管烧坏防护措施：生产过程各环节做好ESD防护工作，焊接过程中特别是带电岗位防止触碰元器件或线路，建议在焊接串线过程中先焊B4再焊B2线。

5、超过GS或DS耐压造成MOS击穿
设计时要对GS和DS的耐压有足够的余量。不要太靠近临界值，否则在实际应用中，电压的波动或者温度的变化可能会使电压超过耐压值而损坏MOS。

6、持续大电流造成热击穿
长时间的大电流，例如D8540NX一直以33A持续过电流，芯片的内核会逐渐升温到170度以上，芯片的内核即可能会被击穿。

7、瞬间高压
尤其是配合电机使用时，当电机突然停止时，会产生瞬时的反向电压，如果续流二极管不够大，则可能会损伤MOS。

8、Si2302瞬间短路电流
当短路瞬间电流超过了MOS的IDM，如果持续时间超过前述表9的边界范围，则有可能导致MOS瞬间击穿。

9、Si2302ESD影响
冬天尤其要注意，ESD高发时，Ciss电容越小，越容易受到ESD的影响。

10、高频开关损耗过大
高频开关，尤其是调速或无刷应用时，MOS处于高频开关状态，如果驱动和MOS的开关速度没有配合好，导致开关损耗过大，也同样容易使MOS升温导致损坏。

11、Si2302GS驱动电压不匹配
对于高开启的MOS，却使用5V，甚至3.3V的电源来驱动，或者驱动电阻分压不当，例如满电时GS分压为10V，但接近空电时只有5V左右的电压，导致MOS开启不完全，内阻成倍增加，通过电流时会快速产生热量导致MOS烧坏。

12、Si2302MOS 损坏主要原因：

过流 ---------- 持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；

过压 ---------- 源漏过压击穿、源栅极过压击穿；

静电 ---------- 静电击穿，CMOS 电路都怕静电；


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。