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RU6099在早期的研究中，人们把Trench MOS研究的焦点集中在击穿电压在50V以下的应用上。主要关注Trench MOS的特征导通电阻。通过增加单胞密度，缩短沟道长度，降低阈值电压等方法使得Trench MOS的源漏RpsON最小。1989年30V传统Trench MOS(阻下简称LIMOS)原胞密度可以做到1000uΩ.c㎡,1991年传统UMOS就得到了长足的发展，50V耐压下原胞密度能达到580uΩ.c㎡7.随着Trench MOS越来越广泛的应用。栅电容也逐渐成为人们关注的又一个焦点。由于栅电容直接关系到器件的开关速度，许多高频的应用希望Trench MOS的电容越低越好。但是，栅电容是随着单胞密度的增加而增加，所以它和器件的特征导通电阻是矛盾的。于是接着，许多研究就开始集中在RDSON和Qgd乘积Fom值上。
RU6099后道生产主要指封装测试，把晶粒制造成我们平时所看到的样式. 当产品封装完毕后，需要再次通过测试来验证产品的电性能，确保成品能够符合产品规格. 由于这次测试属于后道生产的最后一个流程，也是整个生产流程的最后一步，所以被称为最终测试， 即Final Test。


替代RU6099常见问题

例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。