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K3919尽管上述RSO MOSFET和VLMOS结构有效降低了栅漏电容Cgd,但仍然存在栅漏极正对面积。为进一步减小栅漏极电容，Gajda和Goarin等人在RSO结构的基础上提出了分裂栅极RSO MOS（split-gate RSO MOS)5),这种结构通过极间氧化物
（Inter Poly Oxide,IPO)将RSO MOS的多晶栅极分割为控制栅极与屏蔽栅极两部分且后者与源极相接，通过屏蔽栅极作为场板保留了RSO MOS漂移区的RESURF结构，且几乎消除了栅漏极的正对面积，极大的减小了栅漏电容及电荷，提高了器件的开关特性。split-gate RSO MOS是SGT MOSFET的结构原形，为SGT MOSFET的改进和发展奠定了基础。RSO MOS和VLMOS及 split-gate RSO MOS的结构。
K3919芯片封装首先，将切割好的晶片用胶水贴装到框架衬垫（Substrate）上；其次，利用超细的金属导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到框架衬垫的引脚，使晶片与外部电路相连，构成特定规格的集成电路芯片（Bin）；最后对独立的芯片用塑料外壳加以封装保护，以保护芯片元件免受外力损坏。塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋（Trim）、成型（Form）和电镀（Plating）等工艺。


替代K3919常见问题

例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。