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IRLR7843Trench MOS是电力电子技术发展起来的新一代功率半导体器件，因其具有高耐压、大电流、低导通电阻、开关速度快等方面的优势，有着广阔的应用市场。本文首先介绍了Trench MOS的发展、应用以及前景，分析了Trench MOS工作原理及结构，研究了Trench MOS的电学特性。然后利用TSUPREM4 & MEDICI仿真工具设计了150V Trench MOS器件，分析了不同外延层浓度对Trench MOS击穿电压的影响。最后设计了终端结构，利用场限环技术，达到了抗150V击穿电压的目的。
IRLR7843在早期的研究中，人们把Trench MOS研究的焦点集中在击穿电压在50V以下的应用上。主要关注Trench MOS的特征导通电阻。通过增加单胞密度，缩短沟道长度，降低阈值电压等方法使得Trench MOS的源漏RpsON最小。1989年30V传统Trench MOS(阻下简称LIMOS)原胞密度可以做到1000uΩ.c㎡,1991年传统UMOS就得到了长足的发展，50V耐压下原胞密度能达到580uΩ.c㎡7.随着Trench MOS越来越广泛的应用。栅电容也逐渐成为人们关注的又一个焦点。由于栅电容直接关系到器件的开关速度，许多高频的应用希望Trench MOS的电容越低越好。但是，栅电容是随着单胞密度的增加而增加，所以它和器件的特征导通电阻是矛盾的。于是接着，许多研究就开始集中在RDSON和Qgd乘积Fom值上。


替代IRLR7843常见问题
IRLR7843OA失效（电流失效）：导体光放大器（SOA)失效是指在电源工作过程中，由于MOS管上同时叠加了异常大的电流和电压而引起的损伤模式。或者，芯片、散热器和封装不能时达到热平衡，导致热量积聚，并且连续热产生导致温度超过由于热击穿模式而导致的氧化物层的极限。
OA失效的预防措施：确保在最坏的情况下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制线之内；OCP功能必须精确、详细。
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锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。