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IRFZ44N微电子封装是一个复杂的系统工程，类型多、范围广，涉及各种各样材料和工艺。可按几何维数将电子封装分解为简单的“点、线、面、体、块、板”等。电子基板是半导体芯片封装的载体，搭载电子元器件的支撑，构成电子电路的基盘，按其结
构可分为普通基板、印制电路板、模块基板等几大类。其中 PCB 在原有双面板、多层板的基础上，近年来又出现积层（build-up）多层板。模块基板是指新兴发展起来的可以搭载在 PCB之上，以 BGA、CSP、TAB、MCM 为代表的封装基板（Package Substrate，简称 PKG 基板）。小到芯片、电子元器件，大到电路系统、电子设备整机，都离不开电子基板。近年来在电子基板中，高密度多层基板所占比例越来越大。
IRFZ44N可见随着国外大型企业业务向国内的延伸，ESD保护型的MOSFET在国内已不属罕见，但能成功制作高性能的ESD保护器件在国内仍是个挑战。所以不少国内半导体企业都已经涉及该方面，并取得了一定的成绩，本文就是在一个简单器件的基础上去增加ESD保护的功能。


替代IRFZ44N常见问题
IRFZ44NOA失效（电流失效）：导体光放大器（SOA)失效是指在电源工作过程中，由于MOS管上同时叠加了异常大的电流和电压而引起的损伤模式。或者，芯片、散热器和封装不能时达到热平衡，导致热量积聚，并且连续热产生导致温度超过由于热击穿模式而导致的氧化物层的极限。
OA失效的预防措施：确保在最坏的情况下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制线之内；OCP功能必须精确、详细。
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锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。