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IRFR5305封装工程：是封装与实装工程及基板技术的总和。即将半导体、电子元器件所具有的电子的、物理的功能，转变为适用于机器或系统的形式，并使之为人类社会服务的科学技术，统称为电子封装工程。
IRFR5305在SGT MOSFET研究中存在的主要问题有以下两点，一是目前绝大部分研究都采用计算机仿真程序来模拟得出研究结论，部分研究成果缺少器件物理层面的机理分析与理论解析，以至于影响对器件工作机理的深入理解；二是目前对SGT MOSFET
研究主要以元胞结构为主，对终端部分的研究有所欠缺，另外部分结构在实际工艺实现方面也存在一定的难度。
未来，SGT MOSFET研究的重点应以目前的元胞结构改进和性能优化为基础，进一步拓展到对器件终端区域结构，并加强对器件在各类应力下的可靠性和极限能力研究；随着SGT MOSFET的特性和工艺的不断改进优化，未来SGT MOSFET有望同
200V-400V电压段的平面技术和超结技术器件竞争并取得胜出。


替代IRFR5305常见问题
IRFR5305MOS 开关原理（简要）。MOS 是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为 MOS 内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了 MOS 芯片能承受的**导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
IRFR5305MOS 问题远没这么简单，麻烦在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程（电容电压不能突变），所以 MOS 源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。
然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们相互影响，并不是独立的，如果独立的就很简单了。其中一个关键电容就是栅极和漏级间的电容 Cgd，这个电容业界称为米勒电容。这个电容不是恒定的，随栅极和漏级间电压变化而迅速变化。这个米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石，因为栅极给栅 - 源电容 Cgs 充电达到一个平台后，栅极的充电电流必须给米勒电容 Cgd 充电，这时栅极和源级间电压不再升高，达到一个平台，这个是米勒平台（米勒平台就是给 Cgd 充电的过程），米勒平台大家首先想到的麻烦就是米勒振荡。（即，栅极先给 Cgs 充电，到达一定平台后再给 Cgd 充电）
因为这个时候源级和漏级间电压迅速变化，内部电容相应迅速充放电，这些电流脉冲会导致 MOS 寄生电感产生很大感抗，这里面就有电容，电感，电阻组成震荡电路（能形成 2 个回路），并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大。所以最关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。
Gs 极加电容，减慢 MOS 管导通时间，有助于减小米勒振荡。防止 MOS 管烧毁。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。