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irf9540实验数据表明,提高牺牲氧化工艺温度和氧化层厚度可以改善器件的击穿电压,减小栅极泄露电流。优化牺牲氧化工艺温度和氧化层厚度将沟槽制造成上宽下窄的倒梯形结构,能够实现沟槽多晶硅的无缝填充,提高器件可靠性。 沟槽MOSFET栅极多晶硅工艺优化研究：研究了不同温度下淀积的多晶硅厚度均匀性。实验表明,540℃下淀积的多晶硅片内均匀性最好,可有效解决多晶硅刻蚀过程中的过刻蚀和多晶硅残留的问题。而多晶硅电阻率与掺杂工艺的实验表明,采用磷烷分解伴随多晶硅淀积进行掺杂的工艺,可获得电阻率最低和掺杂均匀性最好的多晶硅。论文最后还研究了分裂栅结构对沟槽MOSFET栅漏电荷的优化,芯片测试数据证明采用分裂栅结构的沟槽MOSFET可将器件栅漏电荷密度降低67%,大幅提升器件工作频率。
irf9540VDMOS纯平面工艺就好比我们小时候的土屋，几乎不需要挖地基纯 平面架构特点：成本高，雪崩强，内阻抗大，ESD能力强，属于纯力量型选手。


替代irf9540常见问题
irf9540OA失效（电流失效）：导体光放大器（SOA)失效是指在电源工作过程中，由于MOS管上同时叠加了异常大的电流和电压而引起的损伤模式。或者，芯片、散热器和封装不能时达到热平衡，导致热量积聚，并且连续热产生导致温度超过由于热击穿模式而导致的氧化物层的极限。
OA失效的预防措施：确保在最坏的情况下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制线之内；OCP功能必须精确、详细。
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锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。