自动化一站式网上交易平台

替代AON7446应用17串mos管厂家工艺
AON7446SGT-MOSFET 与 U-MOSFET 器件结构不同之处在其深沟槽的栅结构上。U-MOSFET 沟槽结构仅有一个多晶硅的控制栅电极;SGT-MOSFET 的沟槽结构由两个多晶硅部分组成：上半部分是控制栅电极，下半部分是屏蔽电极，如图 2 所示。屏蔽电极位于栅电极下方。栅电极通过栅电极绝缘介质层绝缘，屏蔽电极则通过屏蔽电极绝缘介质层绝缘，但屏蔽电极绝缘介质层的厚度要厚于栅电极绝缘介质层。此外栅电极和屏蔽电极之间通过中间介质层绝缘。
AON7446trenchmos是在vdmos(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的基础上发展起来的，和vdmos相比，trenchmos具有更低的导通电阻和栅漏电荷密度，因此具有更低的导通和开关损耗和更快的开关速度。


替代AON7446常见问题
AON7446本二级管故障：不同的拓扑和电路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，体二极管的速度也是影响MOS管可靠性的一个重要因素。由于二极管本身是寄生参数，因此很难区分漏源体二极管故障和漏源电压故障。二极管故障的解决方案主要是通过结合自身电路来分析。


例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量推荐低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。