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上海兆茗光电科技有限公司优价销售RE DIXON射频发生器
RE DIXON位于出来的内华达州卡森城，离Tahoe湖一分钟。RE DIXON公司目前房子 3 万平方英尺的设施，以处理设备、 零部件和服务。
RE DIXON所提供的服务：
* 电解抛光* 轨道焊接* 工程 & 设计
* 合同制造* 原型* 现场服务* 创业公司* 关闭* 预定下午* 系统故障排除和修复* 工厂再制造* 气面板维修* 完成反应器再制造* 射频发生器* 电梯环和基板* 电子控制小组升级* 钟罩修理* 射频线圈的重建* 切换开关将重建* 双子座 I、 II、 III 将重建* 金反射器和修复* 技术支持
RE DIXON公司主要产品描述：
RE DIXON Rexon 8 ® 反应器室
Rexon 8 ® 是已完成的最复杂过程的外延反应器室放大的版本、 重掺杂衬底、 原位多掺杂浓度和控制的掺杂梯度层的尖锐过渡宽度增长。Rexon 8 ® 反应器室被设计用于所有类型的半导体器件的制造。设计要满足的要求的超大规模集成电路、 CMOS、 离散、 数字、 线性模拟与聚介电分离设备。立式气体入口，旋转碳化硅涂层热感，加上专利的钟形配置和可调射频线圈的设计，给出了处理的晶片负载优良均匀性的厚度和电阻率。处理室和水暖设计有已制造的最高标准，以消除金属污染物。水和空气冷却黄金反射罩反射回的硅晶片的正面能量。这减少了通过晶圆片的温度差异所引起的应力。Rexon ®反应堆已被用于生长硅单晶从亚微米至厚达 250 微米。Rexon 8 ® 并不局限于一个或两个硅源，但同样执行好上硅烷，dichlorsilane。为那些工厂和铸造厂使用多个硅片直径可能改变这个反应堆以容纳任何从 150 毫米到 300 毫米的晶圆在几秒钟内。

RE DIXON双站反应器
Rexon ® 双站设计允许自动开关在的一个等待的过程分庭的射频发生器。最後过程气体面板提供每个反应堆。这种设计优化的处理时间和电源供应使用同一个单一的工具安装。存款时间小于热起来，冷静下来或单独的进程程序在每个分庭上正在运行时，这种设计是特别有用的。也可以通过放机与第二个射频电源作为一个高使用这个系统。

RE DIXON单站反应器
Rexon ® 单站具有一个进程室用专用的电源。存款时间是多长于的组合加热和降温或需要通过放高并不是主要的问题时，应该使用这种设计。该单一反应器内还用于成长厚厚的多晶硅层厚度超过 25 密耳。进程已成长这聚层在每分钟 3-8 微米。弓通常是少于 3 密耳。细晶粒结构与没有空隙。Rexon ® 反应器具有巨大的门，很简单的操作访问。这些折叠门都已锁定与拉手和轴衬，轴承上旋转。这种组合可以减少颗粒产生和 foRexon8 倒戈清洗和维护也允许方便地访问。

RE DIXON气体流量控制系统
Rexon ® 气体丛林被为了接受所有主要制造商的自动质量流量控制器。布局允许容易添加和删除的组件。过程油管有电抛光的内部，惰性气体与 VCR 连接使用瓦轴配件焊接。外部然后是电抛光。工艺气体系统泄漏率小于 1 × 10-8 他 STD cc/秒 Rexon ® 标配可调线圈清除和注入反应器的底部在单独的进程掺杂剂行的测试。每个 Rexon ® 标配，有两个硅和两个掺杂源。射频加热 Rexon ® 射频线圈设计用于与 RE DIXON MK 系列射频发生器。建立了 200 千瓦型是在 75 到 100 千赫范围内操作。这可以确保足够的权力交付使用传输线路达 50 英尺的长度同时保持足够高，以防止热感颤振的频率。

RE DIXON Rexon2 ® 反应器室
已执行的最复杂的外延过程证明电抗器室和聚硅生长。硅对蓝宝石、 选择性外延生长，重掺杂衬底、 原位多掺杂浓度和控制的掺杂梯度层的尖锐过渡宽度增长。Rexon2 ® 反应器曾经在所有类型的半导体器件的制造中。无论您的要求是超大规模集成电路、 躁郁、 CMOS、 离散、 数字、线性模拟信号或聚为介质隔离设备，我们做到了。立式气体入口，旋转碳化硅涂层热感，加上专利的钟形配置和可调射频线圈的设计，给出了处理的晶片负载优良均匀性的厚度和电阻率。处理室和水暖设计有已制造的最高标准，以消除金属污染物。Rexon ® 反应堆已被用于生长硅单晶从亚微米至厚达 250 微米。Rexon ® 并不局限于一个或两个硅源，但同样执行以及对硅烷、 dichlorsilane、 三氯氢硅或硅四氯化。对于那些工厂和使用多个硅片直径的铸造厂，可能更改 Rexon ® 以容纳任何从 2"到 200 毫米的晶圆在几秒钟内。
RE DIXON MK 系列射频发生器
RE DIXON很高兴宣布释放的 MK 系列射频发生器。这项开创性的新发电机效率有显著增加。MK 系列发电机组相比，45%的行业标准，保证 90%的效率与代表在工程设计中的一个飞跃。实际工厂测试得分高达 95%的效率。因为它需要更少的冷却水，它也降低了提供冷冻的水的成本。这就是为什么所以我们的许多客户已经选择用 MK 系列发电机组替换其老化西屋或支柱射频发生器。这些强大的固态发电机提供 100 到 200 千瓦在 50 到 150 千赫，取代低效振荡器管系统，提供的性能提升和电气大幅减少和维修费用。MK 系列发电机，那里是没有需要更换管，其在旧的系统成本达 16,000 美元，一年更换。与减少的足迹，这些系统还需要珍贵的洁净室地板空间少得多。MK 系列，以及降低了维护成本。这一技术的奇迹有零耗材。内部组件操作只有 600 伏特 （至 15000 其他竞争模型相比），该系统提供了更高的可靠性，减少组件分解。这还允许为您的员工更多安全的工作环境。RE 上的提前操作系统流量控制器的 MK 系列允许您监视输出，并轻松地执行自我诊断。MK 系列发电机提供优越的性能，为世界各地的双子和 Rexon 系统。
转换效率
管型射频发生器的功率转换效率将大约 45%的输入功率。这种效率取决于调优、 类型和年龄的振荡器管。在实际安装中的效率可能会更低。如果发电机的功率调节使用滴管管它有效率比 6 脉冲控制 45%效率低得多。MK 系列发电机效率大约是 90%。这涉及到至少 50%的功耗节省。注： MK 200 效率规格包括所有损失 (6 脉冲、 直流电源滤波器、 逆变电源模块、 输出匹配变压器和tank坦克电容器）。地板空间-MK 系列发电机的足迹等于 15 平方呎，与所有负载匹配里面。现有管射频发生器的 footpring 等于 27.5 平方呎。基于转换效率的设施水需求-前面所说，将要求您设施供水消散大约 60,000 BTU @ 200 千瓦与 MK 系列电源相比至 45 BTU @ 125 千瓦与真空管射频发生器。弧以上潜力-以来的最佳工作频率的 MK 系列是在约 50%的大多数现有的真空电子管射频发电机的输出频率的潜力为传输线路或负载线圈弧以上是少得多。该设备被设计为直接替换所有感应加热的外延设备。它将接受所有的常见的输入的控制信号 （0 到 5 的马 4 到 20 mA、 0 到 10 伏特的直流）。从双子温度控制器的信号保持不变。射频输出直接连接到目前的同轴传输线。（一些次要重构的射频线将有必要）。

标准的功能和规格：
RE DIXON控制电源和 EMO 按钮开关
重置和所有其他的手动功能是通过触摸屏显示器。
WinPLC 控制器执行所有系统的日常工作。
可以通过触摸屏设置功率控制手动选择所需的运行功率级别
微处理器控制与维护访问所有功能通过前台的触摸屏显示器 （如果安装）或局部区域网络。
谐振频率自动控制。
流量仪表监视每个三个的冷却回路。此外监测冷却剂回路和内阁环境空气的温度。
非侵入性，自我诊断测试和监视发射板、 信号和功率 CMOS 器件。所有数据都都可用的前面的液晶触摸屏上。
内部的匹配电路提供正确匹配在工作线圈 （50-150 千赫） 到所需的输出频率。
负载匹配组件，包括当前的匹配变压器和负载匹配电容器安装在机箱内。

RE DIXON RE Dixon电源
标准Gemini 2 & Gemini 3 MK-150 晶体管化固态电源的功率为 150千瓦，和带有匹配为 77 kHz 操作。单位是完全封闭和水冷却。输入的功率要求是 480 伏，3 阶段，在 60 Hz 或 @ 50 Hz 和 177 千瓦 (在380-410 Vac
RE DIXON公司部分产品型号：
RE DIXON 量规 STK-9100 107GAUGE,BACK PRS 0-60"
RE DIXON 过时的 STK-9140 105OBSOLETE
RE DIXON 配件 STK-7000224 with exchange control,temp,ircon,2000 series
RE DIXON 配件 STK-7000224 no exchange control,temp,ircon,2000 series,rebui
RE DIXON 配件 STK-9050217O-RING,G2,OUTR,BP/LR
RE DIXON 配件 STK-9050216O-RING,G2,INER,BP/LR
RE DIXON 换能器真空 STK-9090607TRANSDUCER,VACUUM
RE DIXON 灯 STK-9150920LAMP,BULB,28V
RE DIXON 接触器 STK-9151007 CONTACTOR,3PST 4OA USE WITH 9151007-1
RE DIXON 联系器 STK-9151007-1 CONTACT,AUX,USE W/9151007,8910 CONTACT