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深圳晶博威电子有限公司主要经营深圳MOS管,深圳MOS管代理,广泛应用于新能源锂电池平衡板、电动汽车、电动自行车、通讯、电动工具、LED照明、逆变器、电源、节能灯、家电等十几个相关领域。晶博威电子本着诚信至上，服务周到，开拓进取的经营方针，凭借具有现货，库存量庞大，种类齐全，价格实惠等优势，发展成为全国领先的电子元器件制造企业。 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导。最后，解释了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。 功率MOSFET结构 图1为APT N型沟道功率MOSFET剖面图(本文只讨论N型沟道MOSFET)。在栅极和源极间加正压，将从衬底抽取电子到栅极。如果栅源电压等于或者高于阈值电压，栅极下沟道区域将积累足够多的电子从而产生N型反型层；在衬底形成导电沟道(MOSFET被增强)。电子在沟道内沿任意方向流动。电子从源极流向漏极时，产生正向漏极电流。沟道关断时，正向漏极电流被阻断，衬底与漏极之间的反偏PN结维持漏源之间的电势差。对于N型MOSFET，正向导通时，只有电子流，没有少子。开关速度仅受限于MOSFET内寄生电容的充电和放电速率。因此，开关速率可以很快，开关损耗很低。开关频率很高时，这让功率MOSFET具有很高的效率。 联系人：夏先生 深圳市晶博威电子有限公司 地址：中国 广东 深圳市福田区 中航路都会大厦A座10D