近些年，电源电子行业热门关键词一定少不了“碳化硅”，它是本行业名副其实的“流量小生”。工程师朋友们都了解，碳化硅功率器件突破了硅基器件在开关速度等性能上的极限，显著地提高电力电子系统的功率密度与性能。不过，由于碳化硅器件极快的开关速度对于封装、布线及应用电路引起的寄生参数和器件自身的结电容等非常敏感，极易发生开关振荡、串扰以及驱动失效等问题，给碳化硅MOSFET驱动设计带来了一定的挑战。

为此英飞凌设计了碳化硅MOSFET管双脉冲测试平台，首批两个子单元可以用于评估米勒钳位和正负电源驱动两种常用技术。

《英飞凌碳化硅MOSFET特性

及驱动设计实验室直播》

5月26日上午10:00，碳化硅MOSFET管双脉冲测试平台与你在电源网直播间和电子星球见面！

本次直播包含技术热点、设计难点，

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施工详细分析高频功率电路PCB设计要点，

一个过孔都不放过！

郑工实操演绎米勒钳位和正负电源驱动设计，

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碳化硅MOSFET管的驱动设计是未来电力电子硬件工程师需要普遍掌握的技能。由于碳化硅器件特性，驱动设计有一定难度，为此英飞凌设计了碳化硅MOSFET管双脉冲测试平台，首批两个子单元可以用于评估米勒钳位和正负电源驱动两种常用技术。(本课程在实验室进行)