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- MOSFET动态
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时间: 2024-09-25 14:53 点击:525面向热插拔应用的稳健MOSFET
热插拔电路主要用于高可用性系统，例如数据中心和电信基础设施。在高可用性系统中采用热插拔电路时，即使需要更换或添加组件以维 [阅读全文] -
时间: 2024-09-03 13:52 点击:523新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列
英飞凌最新推出的600V CoolMOS 8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展，在全球范围内树立了技术和性价比标准。CoolMOS 8是英飞 [阅读全文] -
时间: 2024-08-20 17:50 点击:635强大又全能！这款NMOS频频亮相！
MOS管，全称为MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种具有绝缘栅的FET（Field Effect Transistor），通过电压来决定器 [阅读全文] -
时间: 2024-08-09 17:01 点击:498探索新的驾驶世界！东芝拓展40V N沟道功率MOSFET产品线
极致的驾驶体验除了拥有卓越的性能，更需要高效的功耗控制实现长距离行驶和碳排放降低，让驾驶乐趣和节能效率并存！正是因为考虑 [阅读全文] -
时间: 2024-08-02 10:00 点击:607替代Trench MOSFET？国产SGT MOSFET产品井喷
近几年第三代半导体在功率器件上发光发热，低压消费应用上GaN器件统治充电头市场，新能源汽车高压平台上SiC器件逐渐成为标配。在 [阅读全文] -
时间: 2024-07-31 13:56 点击:560英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革
在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入 [阅读全文] -
时间: 2024-07-29 17:29 点击:644三安1700V/1Ω SiC MOSFET的高压辅源应用
随着光伏发电系统、能源存储、电车充电、电机驱动等市场需求的快速增加，该领域所用高压辅助电源的性能要求及需求量也在不断提升 [阅读全文] -
时间: 2024-07-29 17:22 点击:670可扩展的测试系统 | 在极端dV/dt条件下评估多款SiC MOSFET
AOS开发了一种可扩展的测试系统，用于在极端dV/dt条件下评估碳化硅（SiC）MOSFET在连续工作模式下的稳定性。半桥式测试系统能够 [阅读全文] - 时间: 2024-07-11 10:06 点击:352
CoolSiC™ MOSFET Gen2助力英飞凌革新碳化硅市场
英飞凌凭借CoolSiC MOSFET Gen2技术，再度突破极限，实现更高效率、更低功耗，这也使英飞凌在日益发展且竞争激烈的碳化硅市场， [阅读全文] -
时间: 2024-06-26 15:57 点击:394英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET；推出OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近 [阅读全文]
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