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- MOSFET动态
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时间: 2024-01-31 17:39 点击:1528新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流 [阅读全文] -
时间: 2024-01-04 15:06 点击:2361新品 | 全新高压aMOS5™FRD系列升级
全新高压aMOS5FRD进一步升级，可满足太阳能/ESS 应用中 LLC、PSFB 转换器以及 H-4 和Cyclo逆变器的高效率需求。日前，集设计研发 [阅读全文] -
时间: 2024-01-03 17:42 点击:2352新品 | 1200V CoolSiC™ MOSFET 半桥和三相桥Easy模块
EasyDUAL 1B和EasyPACK 1B采用CoolSiC MOSFET增强型1代，适用于1200V应用。这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测。它们 [阅读全文] -
时间: 2023-12-14 15:44 点击:2842新品｜80V和100V车规级TOLL封装MOSFET
日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码 [阅读全文] -
时间: 2023-11-09 17:28 点击:3956东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护
东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）近日宣布，推出SSM10N961L低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电 [阅读全文] -
时间: 2023-10-26 17:53 点击:4448新品 | 采用150V OptiMOS功率MOSFET 电机驱动评估板
EVAL-6ED2742S01QM1评估套件包括一块三相逆变功率板，内含额定电压为160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相栅极驱动器，驱动六个 [阅读全文] -
时间: 2023-09-28 17:35 点击:5429高集成度智能栅极驱动光耦通吃MOSFET和IGBT
光耦也叫光电耦合器，是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。光耦由发光源和受光器两部分组成，密闭于同一壳体内，彼此 [阅读全文] -
时间: 2023-08-17 17:38 点击:6217东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工 [阅读全文] - 时间: 2023-08-07 15:32 点击:6120
思开半导体TOLL产品应用案例分享
喜讯！喜讯！思开半导体（SKYSEMI）半年时间内，给客户的送样次数就已超过1500次以上，这也侧面说明了每天都有来自全国各地的客户不断地向我司申请样品，日平均申请次数可达7-8次以上。 [阅读全文] - 时间: 2023-08-07 15:24 点击:6058
思开半导体 SS018N08LS助力新能源储能市场
思开半导体的SS018N08LS是一款漏源击穿电压 85V 的N沟道 MOS，采用 TOLL 封装，VGS 耐压 ±20V，Vth 为3V，漏极电流最高 320A，VGS 为 10V 时导通电阻 RDS(on) 典型值为 1.3mΩ，适用于电池管理、轻型电动汽车、电动摩托车、电动叉车、同步整流等产品。 [阅读全文]
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